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1. (WO2008056747) CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR, MODULE RF UTILISANT CELUI-CI ET DISPOSITIF DE TERMINAL DE COMMUNICATION RADIO UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/056747 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/071733
Date de publication : 15.05.2008 Date de dépôt international : 08.11.2007
CIB :
H04B 1/44 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
04
TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
B
TRANSMISSION
1
Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes H04B3/-H04B13/129; Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
38
Emetteurs récepteurs, c. à d. dispositifs dans lesquels l'émetteur et le récepteur forment un ensemble structural et dans lesquels au moins une partie est utilisée pour des fonctions d'émission et de réception
40
Circuits
44
Commutation transmission-réception
Déposants :
株式会社ルネサステクノロジ RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 〒1000004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 Tokyo 6-2, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP (AllExceptUS)
小屋 茂樹 KOYA, Shigeki [JP/JP]; JP (UsOnly)
高谷 信一郎 TAKATANI, Shinichiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
小川 貴史 OGAWA, Takashi [JP/JP]; JP (UsOnly)
中島 秋重 NAKAJIMA, Akishige [JP/JP]; JP (UsOnly)
重野 靖 SHIGENO, Yasushi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
小屋 茂樹 KOYA, Shigeki; JP
高谷 信一郎 TAKATANI, Shinichiro; JP
小川 貴史 OGAWA, Takashi; JP
中島 秋重 NAKAJIMA, Akishige; JP
重野 靖 SHIGENO, Yasushi; JP
Mandataire :
玉村 静世 TAMAMURA, Shizuyo; 〒1010052 東京都千代田区神田小川町1丁目1番地 山城ビル901号 Tokyo Room 901, Yamashiro Building 1, Kanda Ogawamachi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010052, JP
Données relatives à la priorité :
2006-30387409.11.2006JP
2007-01913030.01.2007JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, RF MODULE USING THE SAME, AND RADIO COMMUNICATION TERMINAL DEVICE USING THE SAME
(FR) CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR, MODULE RF UTILISANT CELUI-CI ET DISPOSITIF DE TERMINAL DE COMMUNICATION RADIO UTILISANT CELUI-CI
(JA) 半導体集積回路、それを内蔵したRFモジュールおよびそれを搭載した無線通信端末装置
Abrégé :
(EN) It is possible to reduce the mutual modulation distortion important in the WCDMA method or the higher harmonic distortion important in the GSM method by an antenna switch mounted on an RF communication terminal device and switching a transmission/reception signal. This can be achieved as follows. Control is performed so that one higher harmonic switch Qm to which a transmission/reception signal is supplied turned ON and the other higher harmonic switch Qn to which a signal of the other method is supplied is turned OFF. The linearity of V I characteristic of I/O proximity gate resistors (Rg1n ...Rg3n) of the I/O proximity FET(Qn1) in the vicinity of the common I/O terminal connected to the antenna by the other higher harmonic switch Qn is set higher than the linearity of the V I characteristic of intermediate gate resistors (Rg3n, Rg4n) of intermediate FET (Qn3, Qn4). Even if uneven RF leak signals are supplied to the I/O proximity gate resistors (Rg1n ...Rg3n) and the intermediate gate resistors (Rg3n, Rg4n), it is possible to reduce the distortion of current flowing in the I/O proximity gate resistors (Rg1n ...Rg3n) in the vicinity of the I/O terminal.
(FR) Il est possible de réduire la distorsion de modulation mutuelle importante dans le procédé WCDMA ou la distorsion d'harmonique supérieure importante dans le procédé GSM par un commutateur d'antenne monté sur un dispositif de terminal de communication RF et en commutant un signal de transmission/réception. Ceci peut être obtenu comme suit. Une commande est effectuée de telle sorte qu'un commutateur d'harmonique supérieure Qm auquel un signal de transmission/réception est fourni est activé et l'autre commutateur d'harmonique supérieure Qn auquel un signal de l'autre procédé est fourni est désactivé. La linéarité d'une caractéristique V I de résistances de grille de proximité I/O (Rg1n ...Rg3n) du FET de proximité I/O (Qn1) à proximité du terminal I/O commun connecté à l'antenne par l'autre commutateur d'harmonique supérieure Qn est fixée supérieure à la linéarité de la caractéristique V I des résistances de grille intermédiaires (Rg3n, Rg4n) d'un FET intermédiaire (Qn3, Qn4). Même si des signaux de fuite RF non réguliers sont fournis aux résistances de grille de proximité I/O (Rg1n ...Rg3n) et aux résistances de grille intermédiaires (Rg3n, Rg4n), il est possible de réduire la distorsion du courant circulant dans les résistances de grille de proximité I/O (Rg1n ...Rg3n) au voisinage du terminal I/O.
(JA)  RF通信端末装置に搭載され、送受信信号を切り換えるアンテナスイッチでのWCDMA方式で重要な相互変調歪またはGSM方式で重要な高調波歪を低減することを目的として、以下の構成を解決手段とする。送受信信号が供給される一方の高周波スイッチQmがオンに、他の方式の信号が供給される他方の高周波スイッチQnがオフに制御される。他方の高周波スイッチQnでアンテナに接続される共通の入出力端子I/Oに近接した入出力近接FETQn1の入出力近接ゲート抵抗Rg1n…Rg3nのV・I特性の線形性を、中間部FETQn3、Qn4の中間部ゲート抵抗Rg3n、Rg4nのV・I特性の線形性よりも高く設定する。入出力近接ゲート抵抗Rg1n…Rg3nと中間部ゲート抵抗Rg3n、Rg4nとに不均等なRF漏洩信号が供給されても、入出力端子I/Oに近接した入出力近接ゲート抵抗Rg1n…Rg3nに流れる電流の歪が低減される。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
US20100069020JP4524478CN101536327