Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
Une partie du contenu de cette demande n'est pas disponible pour le moment.
Si cette situation persiste, contactez-nous auObservations et contact
1. (WO2008054967) PROCÉDÉ DE MISE EN PLACE D'UN TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE (HEMT) DE DIMENSION NANOMÉTRIQUE SUR UN ISOLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/054967 N° de la demande internationale : PCT/US2007/080994
Date de publication : 08.05.2008 Date de dépôt international : 10.10.2007
CIB :
H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 21/331 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
328
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type bipolaire, p.ex. diodes, transistors, thyristors
33
les dispositifs comportant trois électrodes ou plus
331
Transistors
Déposants :
ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway San Jose, CA 95131, US (AllExceptUS)
ENICKS, Darwin, G. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
ENICKS, Darwin, G.; US
Mandataire :
STEFFEY, Charles E. ; Schwegman, Lundberg & Woessner, P.A. P.O. Box 2938 Minneapolis, MN 55402, US
Données relatives à la priorité :
11/554,79631.10.2006US
Titre (EN) METHOD FOR PROVIDING A NANOSCALE, HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (HEMT) ON INSULATOR
(FR) PROCÉDÉ DE MISE EN PLACE D'UN TRANSISTOR À HAUTE MOBILITÉ ÉLECTRONIQUE (HEMT) DE DIMENSION NANOMÉTRIQUE SUR UN ISOLANT
Abrégé :
(EN) A method and resulting high electron mobility transistor comprised of a substrate (801) and a relaxed silicon-germanium layer (805) formed over the substrate (801). A dopant layer is formed within the relaxed silicon-germanium layer (805). The dopant layer contains carbon and/or boron and has a full-width half-maximum (FWHM) thickness value of less than approximately 70 nanometers. A strained silicon layer (807) is formed over the relaxed silicon-germanium layer (805) and is configured to act as quantum well device.
(FR) La présente invention concerne un procédé et un transistor à haute mobilité électronique ainsi produit qui est formé d'un substrat (801) et d'une couche au silicium-germanium sans tension (805) formée sur le substrat (801). Une couche de dopant est formée dans la couche au silicium-germanium sans tension (805). La couche de dopant contient du carbone et/ou du bore et présente une valeur d'épaisseur à mi-distance de la largeur maximale (FWHM) inférieure à environ 70 nanomètres. Une couche de silicium sous tension (807) est formée au dessus de la couche au silicium-germanium sans tension (805) et configurée pour faire office de dispositif à puits quantiques.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
CN101536191