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1. (WO2008054415) PROCÉDÉ DE SYNTHÉTISATION DE CARBURE DE SILICIUM DE PURETÉ ULTRA ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/054415 N° de la demande internationale : PCT/US2006/046673
Date de publication : 08.05.2008 Date de dépôt international : 07.12.2006
CIB :
C30B 15/00 (2006.01) ,C30B 21/06 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15
Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
21
Solidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques
06
par tirage à partir d'un bain fondu
Déposants :
II-VI INCORPORATED [US/US]; 375 Saxonburg Boulevard Saxonburg, PA 16056, US (AllExceptUS)
BARRETT, Donovan, L. [US/US]; US (UsOnly)
CHEN, Jihong [CN/US]; US (UsOnly)
HOPKINS, Richard, H. [US/US]; US (UsOnly)
JOHNSON, Carl, J. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
BARRETT, Donovan, L.; US
CHEN, Jihong; US
HOPKINS, Richard, H.; US
JOHNSON, Carl, J.; US
Mandataire :
BYRNE, Richard, L. ; The Webb Law Firm 436 Seventh Avenue 700 Koppers Building Pittsburgh, PA 15219, US
Données relatives à la priorité :
60/748,34707.12.2005US
Titre (EN) METHOD FOR SYNTHESIZING ULTRAHIGH-PURITY SILICON CARBIDE
(FR) PROCÉDÉ DE SYNTHÉTISATION DE CARBURE DE SILICIUM DE PURETÉ ULTRA ÉLEVÉE
Abrégé :
(EN) Adsorbed gaseous species and elements in a carbon (C) powder and a graphite crucible are reduced by way of a vacuum and an elevated temperature sufficient to cause reduction. A wall and at least one end of an interior of the crucible is lined with C powder purified in the above manner. An Si + C mixture is formed with C powder purified in the above manner and Si powder or granules. The lined crucible is charged with the Si + C mixture. Adsorbed gaseous species and elements are reduced from the Si + C mixture and the crucible by way of a vacuum and an elevated temperature that is sufficient to cause reduction but which does not exceed the melting point of Si. Thereafter, by way of a vacuum and an elevated temperature, the Si + C mixture is caused to react and form polycrystalline SiC.
(FR) L'invention permet de réduire les espèces et les éléments gazeux adsorbés dans une poudre de carbone (C) et un creuset de graphite en faisant le vide et en utilisant une température suffisamment élevée pour provoquer ladite réduction. Une paroi et au moins une extrémité du côté intérieur du creuset sont doublées de poudre de C épurée de la manière ci-dessus. Un mélange Si + C est formé avec de la poudre de C épurée de la manière ci-dessus et avec de la poudre ou des granulés Si. Le creuset doublé est chargé avec le mélange Si + C. Les espèces et les éléments gazeux adsorbés sont réduits à partir du mélange Si + C et du creuset en faisant le vide et en utilisant une température suffisamment élevée pour provoquer ladite réduction, mais sans dépasser le point de fusion de Si. Ensuite, avec le vide et une température élevée, le mélange Si + C va être mis en réaction et constituer du SiC polycristallin.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
US20090220788