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1. (WO2008054240) MANIPULATEUR DE CROISSANCE POUR CHAMBRE À VIDE DESTINÉ À LA CROISSANCE D'HÉTÉROSTRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/054240 N° de la demande internationale : PCT/RU2007/000087
Date de publication : 08.05.2008 Date de dépôt international : 22.02.2007
CIB :
C30B 23/08 (2006.01) ,H01L 21/26 (2006.01) ,C23C 14/28 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
23
Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
02
Croissance d'une couche épitaxiale
08
par condensation de vapeurs ionisées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
28
par énergie éléctromagnétique ou par rayonnement corpusculaire
Déposants :
ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «НАУЧНОЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ» 'NAUCHNOE I TEKHNOLOGICHESKOE OBORUDOVANIE' LIMITED [RU/RU]; пр. Энгельса, д. 27, корп. 5, литер. А, Санкт-Петербург, 194156 St.Petersburg pr. Engelsa, 27-5 liter A St.Petersburg, 194156, RU (AllExceptUS)
АЛЕКСЕЕВ Алексей Николаевич ALEXEEV, Alexei Nikolaevich [RU/RU]; RU (UsOnly)
БАРАНОВ Дмитрий Аркадьевич BARANOV, Dmitry Arkadievich [RU/RU]; RU (UsOnly)
ВАСИЛЬЕВ Владислав Алексеевич VASILIEV, Vladislav Alexeevich [RU/RU]; RU (UsOnly)
Inventeurs :
АЛЕКСЕЕВ Алексей Николаевич ALEXEEV, Alexei Nikolaevich; RU
БАРАНОВ Дмитрий Аркадьевич BARANOV, Dmitry Arkadievich; RU
ВАСИЛЬЕВ Владислав Алексеевич VASILIEV, Vladislav Alexeevich; RU
Mandataire :
САНДИГУРСКИЙ Олег Львович SANDIGURSKY, Oleg Lvovich; а/я 146, Санкт-Петербург, 192007, St.Petersburg a/ya 146 St.Petersburg, 192007, RU
Données relatives à la priorité :
200613891631.10.2006RU
Titre (EN) GROWTH MANIPULATOR OF A VACUUM CHAMBER USED FOR GROWING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
(FR) MANIPULATEUR DE CROISSANCE POUR CHAMBRE À VIDE DESTINÉ À LA CROISSANCE D'HÉTÉROSTRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES
(RU) РОСТОВОЙ МАНИПУЛЯТОР ВАКУУМНОЙ КАМЕРЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
Abrégé :
(EN) The inventive growth manipulator of a vacuum chamber is used for growing semiconductor thin films by means of molecular-beam epitaxy. The inventive manipulator is placed in a vacuum chamber consisting of a body (1) and a lid (2). The manipulator comprises a bar (3) provided with a heater (4), which is mounted on the lower end thereof, a tubular hollow element (5) and the holder (6) of a semiconductor substrate (7). The bar is placed inside the tubular element. The semiconductor substrate holder is mounted in such a way that it can be grasped and released in a grasping mechanism provided with L-shaped cantilevers (8). The horizontal elements of said cantilevers are embodied in such a way that the substrate holder can be placed thereon. The vertical elements of the cantilevers are fastened by the top end thereof to a disc (9) having a central opening (10). The hollow tubular element passes through the disc central opening, to the circumference of which a carriage (11), provided with rollers (12) pressed against the external surface of the tubular elements, is connected. Height-adjustable arresters (13) are embodied on the internal surface of the lid, and height-displaceable arresters (14) are embodied on the external surface of the tubular element. A disc (15) which is provided with a central opening (16) and peripheral openings (17) is fixed to the lower end of the tubular element. The bar passes through the central opening (16) and the vertical elements of the cantilevers pass through the openings (17). Elastic elements (18) are disposed between the discs (9) and (15). The inventive manipulator can be used for vacuum chambers of different sizes.
(FR) L'invention concerne un manipulateur de croissance pour chambre à vide destiné à la croissance de films minces semi-conducteurs par procédé d'épitaxie par jets moléculaires. Le manipulateur est monté dans une chambre à vide qui comprend un boîtier (1) et un couvercle (2). Le manipulateur comprend une tige (3) avec un réchauffeur (4) à son extrémité inférieure, un élément tubulaire creux (5) et un support (6) du substrat (7). La tige est disposée à l'intérieur de l'élément tubulaire. Le support du substrat est monté de façon à saisir et à libérer se dernier au moyen d'un mécanisme de saisi qui comprend des consoles en L (8). Les éléments horizontaux des consoles sont réalisés de manière à pouvoir accueillir le support du substrat. Les éléments verticaux des consoles sont fixés par leurs extrémités supérieures à un disque (9) comportant un orifice central (10). L'élément tubulaire creux passe par l'orifice central du disque. Un chariot (11) est monté sur le disque en suivant le contour de l'orifice central. Ce chariot est muni de rouleaux (12) comprimés contre la surface externe de l'élément tubulaire. La surface interne du couvercle comporte des butées réglables en hauteur (13), et la surface externe de l'élément tubulaire comporte des butées déplaçable en hauteur (14). A l'extrémité inférieure de l'élément tubulaire on a fixé un disque (15) avec un orifice central (16) et des orifices sur la périphérie. La tige passe par l'orifice central (16), et les éléments verticaux des consoles passent par les orifices (17). Entre le disque (9) et le disque (15) on a monté des éléments souples (18). Le manipulateur peut être utilisé dans des chambres à vide de dimensions différentes.
(RU) Ростовой манипулятор вакуумной камеры предназначен для выращивания тонких пленок полупроводников методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Манипулятор размещен в вакуумной камере, которая содержит корпус (1) и крышку (2). Манипулятор содержит штангу (3) с нагревателем (4) на нижнем конце, полый трубчатый элемент (5) и держатель (6) подложки (7). Штанга установлена внутри трубчатого элемента. Держатель подложки установлен с возможностью его захвата и освобождения в захватном механизме, включающем L-образные консоли (8). Горизонтальные элементы консолей выполнены с возможностью размещения на них держателя подложки. Вертикальные элементы консолей прикреплены верхними концами к диску (9) с центральным отверстием (10). Полый трубчатый элемент пропущен через центральное отверстие диска, к которому по контуру центрального отверстия прикреплена каретка (11), снабженная роликами (12), поджатыми к наружной поверхности трубчатого элемента. На внутренней поверхности крышки выполнены регулируемые по высоте упоры (13), а на наружной поверхности трубчатого элемента - переставные по высоте упоры (14). К нижнему концу трубчатого элемента прикреплен диск (15) с центральным отверстием (16) и отверстиями (17), выполненными по периферии. В центральное отверстие (16) пропущена штанга, а в отверстия (17) - вертикальные элементы консолей. Между диском (9) и диском (15) размещены упругие элементы (18). Манипулятор может быть использован в вакуумных камерах различных размеров.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Russe (RU)
Langue de dépôt : Russe (RU)