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1. (WO2008054239) MANIPULATEUR DE CROISSANCE POUR CHAMBRE À VIDE DESTINÉ À LA CROISSANCE D'HÉTÉROSTRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/054239 N° de la demande internationale : PCT/RU2007/000086
Date de publication : 08.05.2008 Date de dépôt international : 22.02.2007
CIB :
C30B 23/08 (2006.01) ,H01L 21/26 (2006.01) ,C23C 14/28 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
23
Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
02
Croissance d'une couche épitaxiale
08
par condensation de vapeurs ionisées
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
28
par énergie éléctromagnétique ou par rayonnement corpusculaire
Déposants :
ЗАКРЫТОЕ АКЦИОНЕРНОЕ ОБЩЕСТВО «НАУЧНОЕ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ» 'NAUCHNOE I TEKHNOLOGICHESKOE OBORUDOVANIE' LIMITED [RU/RU]; пр. Энгельса, д. 27, корп. 5, литер. А, Санкт-Петербург, 194156 St.Petersburg pr. Engelsa, 27-5 liter A St.Petersburg, 194156, RU (AllExceptUS)
АЛЕКСЕЕВ Алексей Николаевич ALEXEEV, Alexei Nikolaevich [RU/RU]; RU (UsOnly)
ПОГОРЕЛЬСКИЙ Михаил Юрьевич POGORELSKY, Mikhail Yurievich [RU/RU]; RU (UsOnly)
МАХОВ Игорь Евгеньевич MAKHOV, Igor Evgenievich [RU/RU]; RU (UsOnly)
КРАТЕНКО Владимир Иванович KRATENKO, Vladimir Ivanovich [RU/RU]; RU (UsOnly)
Inventeurs :
АЛЕКСЕЕВ Алексей Николаевич ALEXEEV, Alexei Nikolaevich; RU
ПОГОРЕЛЬСКИЙ Михаил Юрьевич POGORELSKY, Mikhail Yurievich; RU
МАХОВ Игорь Евгеньевич MAKHOV, Igor Evgenievich; RU
КРАТЕНКО Владимир Иванович KRATENKO, Vladimir Ivanovich; RU
Mandataire :
САНДИГУРСКИЙ Олег Львович SANDIGURSKY, Oleg Lvovich; а/я 146, Санкт-Петербург, 192007, St.Petersburg a/ya 146 St.Petersburg, 192007, RU
Données relatives à la priorité :
200613891731.10.2006RU
Titre (EN) GROWTH MANIPULATOR OF A VACUUM CHAMBER USED FOR GROWING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES
(FR) MANIPULATEUR DE CROISSANCE POUR CHAMBRE À VIDE DESTINÉ À LA CROISSANCE D'HÉTÉROSTRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES
(RU) РОСТОВОЙ МАНИПУЛЯТОР ВАКУУМНОЙ КАМЕРЫ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
Abrégé :
(EN) The inventive growth manipulator of a vacuum chamber is used for growing semiconductor thin films by means of molecular-beam epitaxy. The inventive manipulator is placed in a vacuum chamber consisting of a body (1) and a lid (2). The manipulator comprises a bar (3) is provided with a heater (4), which is mounted on the lower end thereof and a base flange (5), which is arranged on the top end thereof, and a tubular hollow element (6) provided with the holder (17) of a semiconductor substrate (16) on the lower end thereof. The bar is arranged inside the tubular element and mates with it by means of bearings (7, 8). The tubular element is provided with a drive which is used for carrying out vertical reciprocating motion and is embodied in the form of a bellows (10). The bellows is fixed to the lid of a vacuum chamber and is provided with a compression-extension mechanism (9). The tubular element is provided with a mechanism which is used for rotating it, is fastened to the base flange and comprises a drive (11) and a gear transmission. The base flange is rigidly fixed to the bellows. The invention makes it possible to improve the quality of grown heterostructures.
(FR) L'invention concerne un manipulateur de croissance pour chambre à vide destiné à la croissance de films minces semi-conducteurs par procédé d'épitaxie par jets moléculaires. Le manipulateur est monté dans une chambre à vide qui comprend un boîtier (1) et un couvercle (2). Le manipulateur comprend une tige (3) avec un réchauffeur (4) à son extrémité inférieure, une bride de base (5) à son extrémité supérieure, un élément tubulaire creux (9) avec un support (17) du substrat semi conducteur (16) à son extrémité inférieure. La tige est disposée à l'intérieur de l'élément tubulaire auquel elle est raccordée par des roulements (7, 8). L'élément tubulaire est doté d'un entraînement de mouvement vertical en va-et-vient qui se présente comme un robinet à soufflet (10). Le robinet à soufflet est monté sur le couvercle de la chambre à vide et doté d'un mécanisme de dilatation / compression (9). L'élément tubulaire est doté d'un mécanisme de rotation, monté sur la bride de base et comprenant un entraînement (11) et une crémaillère. Cette bride de base est fixée à demeure sur le robinet à soufflet. L'invention permet d'améliorer la qualité des hétérostructures formées.
(RU) Ростовой манипулятор вакуумной камеры предназначен для выращивания тонких пленок полупроводников методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Манипулятор размещен в вакуумной камере, которая содержит корпус (1) и крышку (2). Манипулятор содержит штангу (3) с нагревателем (4) на нижнем конце и базовым фланцем (5) на верхнем конце, полый трубчатый элемент (6) с держателем (17) полупроводниковой подложки (16) на нижнем конце. Штанга установлена внутри трубчатого элемента и сопряжена с ним посредством подшипников (7,8). Трубчатый элемент снабжен приводом вертикального возвратно-поступательного перемещения, выполненным в виде сильфона (10). Сильфон укреплен на крышке вакуумной камеры и снабжен механизмом (9) сжатия - растяжения. Трубчатый элемент снабжен механизмом его вращения, который укреплен на базовом фланце и включает привод (11) и зубчатую передачу. Базовый фланец жестко укреплен на сильфоне. В результате повышается качество выращиваемых гетероструктур.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Russe (RU)
Langue de dépôt : Russe (RU)