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1. (WO2008053974) COMPOSITION SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/053974 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/071346
Date de publication : 08.05.2008 Date de dépôt international : 01.11.2007
CIB :
C07C 39/17 (2006.01) ,C07C 59/72 (2006.01) ,C07C 65/105 (2006.01) ,C07C 69/736 (2006.01) ,C08G 8/20 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/11 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
39
Composés comportant au moins un groupe hydroxyle ou O-métal lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons
12
polycycliques sans autre insaturation que celle des cycles aromatiques
17
contenant d'autres cycles en plus des cycles aromatiques à six chaînons
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
59
Composés comportant des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone acycliques et contenant l'un des groupes OH, O-métal, -CHO, cétone, éther, des groupes , des groupes ou des groupes
40
Composés non saturés
58
contenant des groupes éther, des groupes , des groupes ou des groupes
72
contenant des cycles aromatiques à six chaînons et d'autres cycles
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
65
Composés comportant des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons et contenant l'un des groupes OH, O-métal, -CHO, cétone, éther, des groupes , des groupes ou des groupes
01
contenant des groupes hydroxyle ou O-métal
105
polycycliques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
C
COMPOSÉS ACYCLIQUES OU CARBOCYCLIQUES
69
Esters d'acides carboxyliques; Esters de l'acide carbonique ou de l'acide formique halogéné
66
Esters d'acides carboxyliques dont le groupe carboxyle estérifié est lié à un atome de carbone acyclique et dont l'un des groupes OH, O-métal, -CHO, céto, éther, acyloxy, des groupes , des groupes ou des groupes se trouve dans la partie acide
73
d'acides non saturés
734
Ethers
736
le groupe hydroxyle de l'ester étant éthérifié par un composé hydroxylé dont le groupe hydroxyle est lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
08
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES ORGANIQUES; LEUR PRÉPARATION OU LEUR MISE EN UVRE CHIMIQUE; COMPOSITIONS À BASE DE COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES
G
COMPOSÉS MACROMOLÉCULAIRES OBTENUS PAR DES RÉACTIONS AUTRES QUE CELLES FAISANT INTERVENIR UNIQUEMENT DES LIAISONS NON SATURÉES CARBONE-CARBONE
8
Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols
04
d'aldéhydes
08
de formaldéhyde, p.ex. de formaldéhyde formé in situ
20
avec des phénols polyhydriques
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
038
Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
09
caractérisés par des détails de structure, p.ex. supports, couches auxiliaires
11
avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p.ex. couches d'ancrage
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 〒1008324 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 Tokyo 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP (AllExceptUS)
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
小黒 大 OGURO, Dai [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi; JP
小黒 大 OGURO, Dai; JP
Mandataire :
大谷 保 OHTANI, Tamotsu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門三丁目25番2号 ブリヂストン虎ノ門ビル6階 大谷特許事務所 Tokyo OHTANI PATENT OFFICE, Bridgestone Toranomon Bldg. 6F., 25-2, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité :
2006-29952202.11.2006JP
2007-11318523.04.2007JP
2007-11318623.04.2007JP
2007-12491809.05.2007JP
2007-13976325.05.2007JP
2007-13976425.05.2007JP
Titre (EN) RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION
(FR) COMPOSITION SENSIBLE AUX RAYONNEMENTS
(JA) 感放射線性組成物
Abrégé :
(EN) Disclosed is a radiation-sensitive composition containing a resist compound which enables to obtain a resist pattern with a good shape, while having high sensitivity, high resolution, high etching resistance and low outgas. Also disclosed are a resist pattern-forming method using such a radiation-sensitive composition; a composition for forming a novel photoresist foundation layer which is excellent in optical characteristics and etching resistance, while having substantially no sublimation product; and a foundation layer made of such a composition. Specifically disclosed is a radiation-sensitive composition containing a cyclic compound having a specific structure, namely a cyclic compound (A) having a molecular weight of 700-5000 which is synthesized by a condensation reaction between a compound having 1-4 formyl groups and 2-59 carbon atoms (an aldehydic compound (A1)) and a compound having 1-3 phenolic hydroxy groups and 6-15 carbon atoms (a phenolic compound (A2)), and a solvent. Also specifically disclosed is a cyclic compound used in such a composition.
(FR) L'invention concerne une composition sensible aux rayonnements contenant un composé de résist qui permet d'obtenir un motif de résist ayant une bonne forme, tout en ayant une grande sensibilité, une résolution élevée, une bonne résistance au décapage et un faible dégazement. L'invention concerne également un procédé de formation d'un motif de résist utilisant une telle composition sensible aux rayonnements, une composition destinée à la formation d'une nouvelle couche de base d'un photorésist qui présente d'excellentes caractéristiques optiques et une excellente résistance au décapage, tout en ne formant pratiquement aucun produit de sublimation ; et une couche de base constituée d'une telle composition. L'invention concerne notamment une composition sensible aux rayonnements contenant un composé cyclique ayant une structure spécifique, à savoir un composé cyclique (A) ayant une masse moléculaire de 700 à 5 000, qui est synthétisé par une réaction de condensation entre un composé ayant 1 à 4 groupements formyle et 2 à 59 atomes de carbone (un composé aldéhydique (A1)) et un composé ayant 1 à 3 groupement hydroxy phénoliques et 6 à 15 atomes de carbone (un composé phénolique (A2)) et un solvant. L'invention concerne également un composé cyclique utilisé dans une telle composition.
(JA)  高感度、高解像度、高エッチング耐性、低アウトガス量、及び得られるレジストパターン形状が良好なレジスト化合物を含む感放射製組成物、および該感放射線性組成物を用いるレジストパターン形成方法、及び光学特性及びエッチング耐性に優れ、更に昇華物が実質的に無い、新規なフォトレジスト下層膜を形成するための組成物、及びそれから形成された下層膜を提供することを提供する。  炭素数が2~59であり1~4個のホルミル基を有する化合物(アルデヒド性化合物(A1))と、炭素数6~15であり1~3個のフェノール性水酸基を有する化合物(フェノール性化合物(A2))との縮合反応により合成した、分子量が700~5000の環状化合物(A)である特定構造の環状化合物および溶媒とを含む感放射線性組成物。顔組成物に用いる環状化合物。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020090077940EP2080750US20100047709CN101528653