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1. (WO2008053697) COMPOSITION À RÉSISTANCE POSITIVE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MODÈLE DE RÉSISTANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/053697 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/070102
Date de publication : 08.05.2008 Date de dépôt international : 15.10.2007
CIB :
G03F 7/039 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
004
Matériaux photosensibles
039
Composés macromoléculaires photodégradables, p.ex. réserves positives sensibles aux électrons
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
027
Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe H01L21/18 ou H01L21/34187
Déposants :
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 〒2110012 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 Kanagawa 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP (AllExceptUS)
内海 義之 UTSUMI, Yoshiyuki [JP/JP]; JP (UsOnly)
清水 宏明 SHIMIZU, Hiroaki [JP/JP]; JP (UsOnly)
大下 京子 OHSHITA, Kyoko [JP/JP]; JP (UsOnly)
吉井 靖博 YOSHII, Yasuhiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
内海 義之 UTSUMI, Yoshiyuki; JP
清水 宏明 SHIMIZU, Hiroaki; JP
大下 京子 OHSHITA, Kyoko; JP
吉井 靖博 YOSHII, Yasuhiro; JP
Mandataire :
棚井 澄雄 TANAI, Sumio; 〒1048453 東京都中央区八重洲2丁目3番1号 Tokyo 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 1048453, JP
Données relatives à la priorité :
2006-29689431.10.2006JP
2006-29689531.10.2006JP
2007-23576411.09.2007JP
Titre (EN) POSITIVE RESIST COMPOSITION AND METHOD FOR FORMATION OF RESIST PATTERN
(FR) COMPOSITION À RÉSISTANCE POSITIVE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MODÈLE DE RÉSISTANCE
(JA) ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
Abrégé :
(EN) A positive resist composition comprising a resin component (A) whose alkali solubility can be increased by the action of an acid and an acid generator component (B) which can generate an acid upon being exposed to light, wherein the resin component (A) comprises a copolymer (A1) having a constituent unit (a1) represented by the general formula (II) or a polymer (A2) having a constituent unit (a1) represented by the general formula (II) [wherein R represents a hydrogen atom, a halogen atom, a lower alkyl group, or a halogenated lower alkyl group; and R1 to R3 independently represent an alkyl group, or a fluorinated alkyl group, provided that, in the fluorinated alkyl group, no fluorine atom is attached to a carbon atom adjacent to a tertiary carbon atom to which R1 to R3 are bonded, at least one of R1 to R3 represents the above-mentioned fluorinated alkyl group, and R2 and R3 may together form a ring structure.]
(FR) Composition à résistance positive comprenant un composant à base de résine (A) dont la solubilité en alcali peut être augmentée par l'action d'un acide et un composant de génération d'acide (B) qui peut générer un acide quand il est exposé à la lumière, le composant à base de résine (A) comprenant un copolymère (A1) ayant une unité constituante (a1) représentée par la formule générale (II) ou un polymère (A2) ayant une unité constituante (a1) représentée par la formule générale (II) [ R représentant un atome d'hydrogène, un atome d'halogène, un groupe alkyle inférieur ou un groupe alkyle inférieur halogéné; et R1 à R3 représentant de manière indépendante un groupe alkyle ou un groupe alkyle fluoré, à condition que, dans le groupe alkyle fluoré, aucun atome de fluorine ne soit relié à un atome de carbone adjacent à un atome de carbone tertiaire auquel R1 à R3 sont liés, au moins un élément de R1 à R3 représentant le groupe alkyle fluoré susmentionné, et R2 et R3 pouvant former conjointement une structure en anneau.]
(JA) 酸の作用によりアルカリ溶解性が増大する樹脂成分(A)及び露光により酸を発生する酸発生剤成分(B)を含有し、前記樹脂成分(A)が一般式(II)で表される構成単位(a1)を有する共重合体(A1)または一般式(II)で表される構成単位(a1)からなる重合体(A2)を含有するポジ型レジスト組成物。[式(II)中、Rは水素原子、ハロゲン原子、低級アルキル基又はハロゲン化低級アルキル基を示し;R~Rは、それぞれ独立してアルキル基又はフッ素化アルキル基である。ただし、前記フッ素化アルキル基は、R~Rが結合している第三級炭素原子に隣接する炭素原子にはフッ素原子が結合していない基であり、R~Rの少なくとも一つは、前記フッ素化アルキル基である。R及びRは、一つの環構造を形成していてもよい。] 
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020090074071US20100075249