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1. (WO2008053677) MRAM À VÉRIFICATION D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/053677 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/069808
Date de publication : 08.05.2008 Date de dépôt international : 11.10.2007
CIB :
G11C 11/15 (2006.01) ,H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
02
utilisant des éléments magnétiques
14
utilisant des éléments à pellicules minces
15
utilisant des couches magnétiques multiples
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
77
Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun
78
avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
82
pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
822
le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie au silicium
8232
Technologie à effet de champ
8234
Technologie MIS
8239
Structures de mémoires
8246
Structures de mémoires mortes (ROM)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27
Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02
comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04
le substrat étant un corps semi-conducteur
10
comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
105
comprenant des composants à effet de champ
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
43
Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
08
Résistances commandées par un champ magnétique
Déposants :
株式会社ルネサステクノロジ RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 〒1000004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 Tokyo 6-2, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP (AllExceptUS)
瀬戸川 潤 SETOGAWA, Jun [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
瀬戸川 潤 SETOGAWA, Jun; JP
Mandataire :
深見 久郎 FUKAMI, Hisao; 〒5300005 大阪府大阪市北区中之島二丁目2番7号 中之島セントラルタワー22階 深見特許事務所 Osaka Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower 22nd Floor, 2-7 Nakanoshima 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2006-29456130.10.2006JP
Titre (EN) WRITE-IN VERIFYING MRAM
(FR) MRAM À VÉRIFICATION D'ENREGISTREMENT
(JA) 書込ベリファイを行うMRAM
Abrégé :
(EN) After data is written into a memory cell, it is judged whether the data written from outside is logically matched/not matched with memory cell read-out data (step S3). If the written-in data is not matched with the logical value of the data stored in the memory cell, data is again written into the memory cell of a write object (step S4). After this, data is again read out from the memory cell of the write object and it is judged whether the written-in data is matched/not matched with the read-out data. This operation is repeated until the written-in data is matched with the read-out data. This assures reliability of the data write into a magnetic random access memory.
(FR) Selon l'invention, après que des données ont été enregistrées dans une cellule de mémoire, on détermine si les données enregistrées de l'extérieur correspondent ou non logiquement à des données lues depuis la cellule de mémoire (étape S3). Si les données enregistrées ne correspondent pas à la valeur logique des données stockées dans la cellule de mémoire, les données sont de nouveau enregistrées dans la cellule de mémoire d'un objet d'écriture (étape S4). Ensuite, les données sont de nouveau lues depuis la cellule de mémoire de l'objet d'écriture, et on détermine si les données enregistrées correspondent ou non avec les données lues. Cette opération est répétée jusqu'à ce que les données enregistrées correspondent aux données lues. Ceci garantit la fiabilité de l'écriture de données dans une mémoire vive magnétique.
(JA)  メモリセルへのデータ書込後、外部からの書込データとメモリセルの読出データの論理の一致/不一致を判定する(ステップS3)。この書込データとメモリセルの記憶データの論理値が不一致の場合、再度、書込対象のメモリセルへデータを書込む(ステップS4)。この後、再び、書込対象のメモリセルの記憶データを読出し、書込データと読出データの一致/不一致を判定する。この動作を、書込データおよび読出データが一致するまで繰返す。磁気ランダム・アクセス・メモリのデータ書込の信頼性を確保することができる。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)