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1. (WO2008051486) COMPOSITIONS FLUORESCENTES NANO-YAG:CE ET LEURS PROCÉDÉS DE PRÉPARATIONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/051486 N° de la demande internationale : PCT/US2007/022360
Date de publication : 02.05.2008 Date de dépôt international : 19.10.2007
CIB :
H01L 29/22 (2006.01) ,H01L 33/50 (2010.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02
Corps semi-conducteurs
12
caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués
22
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33
Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
48
caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
50
Éléments de conversion de la longueur d'onde
Déposants :
INTEMATIX CORPORATION [US/US]; 46410 S. Fremont Blvd. Fremont, California 94538, US (AllExceptUS)
TAO, Dejie [US/US]; US (UsOnly)
LI, Yi-Qun [US/US]; US (UsOnly)
CHENG, Shifan [CN/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
TAO, Dejie; US
LI, Yi-Qun; US
CHENG, Shifan; US
Mandataire :
FLIESLER, Martin, C. ; FLIESLER MEYER LLP 650 California Street, Fourteenth Floor San Francisco, California 94108, US
Données relatives à la priorité :
11/975,35618.10.2007US
60/853,38220.10.2006US
Titre (EN) NANO-YAG:CE PHOSPHOR COMPOSITIONS AND THEIR METHODS OF PREPARATION
(FR) COMPOSITIONS FLUORESCENTES NANO-YAG:CE ET LEURS PROCÉDÉS DE PRÉPARATIONS
Abrégé :
(EN) Disclosed herein are cerium doped, garnet phosphors emitting in the yellow region of the spectrum, and having the general formula (Y,A)3(Al,B)5(O,C)12:Ce3+, where A is Tb, Gd, Sm, La, Sr, Ba, Ca, and/or Mg, and substitutes for Y, B is Si, Ge, B, P, and/or Ga, and substitutes for Al, and C is F, Cl, N, and/or S, where C substitutes for O. Relative to a solid-state-reaction method, the instant co-precipitation methods provide a more homogeneous mixing environment to enhance the distribution of the Ce3+ activator in the YAG matrix. Such a uniform distribution has the benefit of an increased emission intensity. The primary particle size of the as-prepared phosphor is about 200 nm, with a narrow distribution.
(FR) La présente invention concerne des substances fluorescentes au grenat dopé au cérium émettant dans la zone jaune du spectre, et de formule générale Y,A)3(Al,B)5(O,C)12:Ce3+, (A représentant Tb, Gd, Sm, La, Sr, Ba, Ca, et/ou Mg, et se substituant à Y, B représentant Si, Ge, B, P, et/ou Ga, et se substituant à Al, et C représentant F, Cl, N et/ou S, C se substituant à O. Par rapport à un procédé par réaction à l'état solide, les procédés de coprécipitation instantanée permettent d'obtenir un environnement de mélange plus homogène pour améliorer la distribution de l'activateur Ce3+ dans la matrice YAG. Une telle distribution uniforme présente l'avantage d'accroître l'intensité d'émission. La taille de particules primaire de la substance fluorescente telle que préparée est d'environ 200 nm, avec une distribution étroite.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
KR1020090082234EP2082430JP2010507008CN101536193