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1. (WO2008051369) BRIDE ÉLECTROSTATIQUE DE FIXATION BON MARCHÉ AVEC DURÉE RAPIDE DE SUPPRESSION DE FIXATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/051369 N° de la demande internationale : PCT/US2007/021614
Date de publication : 02.05.2008 Date de dépôt international : 10.10.2007
CIB :
H01L 21/683 (2006.01) ,H02N 13/00 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67
Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
683
pour le maintien ou la préhension
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
N
MACHINES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
13
Embrayages ou dispositifs de maintien utilisant l'attraction électrostatique, p.ex. utilisant l'effet Johnson-Rahbek
Déposants :
AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 108 Cherry Hill Drive Beverly, MA 01915, US (AllExceptUS)
LAFONTAINE, Marvin [US/US]; US (UsOnly)
PHARAND, Michel [CA/US]; US (UsOnly)
RUBIN, Leonard [US/US]; US (UsOnly)
BECKER, Klaus [DE/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
LAFONTAINE, Marvin; US
PHARAND, Michel; US
RUBIN, Leonard; US
BECKER, Klaus; US
Données relatives à la priorité :
60/854,14325.10.2006US
Titre (EN) LOW-COST ELECTROSTATIC CLAMP WITH FAST DECLAMP TIME AND THE MANUFACTURE
(FR) BRIDE ÉLECTROSTATIQUE DE FIXATION BON MARCHÉ AVEC DURÉE RAPIDE DE SUPPRESSION DE FIXATION
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing a semiconductor wafer electrostatic clamp, comprising providing a mounting plate, forming an insulative layer on an insulating portion of the mounting plate, forming a first electrode on a first portion of the mounting plate, forming a second electrode on a second portion of the mounting plate, forming a first segment having a first conductivity over the first electrode, forming a first region having a second conductivity over the first segment that creates an n-p type composite, forming a second segment having a third conductivity formed over the over the second electrode, forming a second region having a fourth conductivity formed over the second region that creates an p-n type composite.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une bride électrostatique pour tranche de semiconducteurs, comprenant l'utilisation d'une plaque de montage, la formation d'une couche d'isolation sur une partie isolante de la plaque de montage, la formation d'une première électrode sur une première partie de la plaque de montage, la formation d'une seconde électrode sur une seconde partie de la plaque de montage, la formation d'un premier segment présentant une première conductivité sur la première électrode, la formation d'une première zone présentant une seconde conductivité sur le premier segment, ce qui crée un composite de type n-p, la formation d'un second segment présentant une troisième conductivité formé sur le dessus de la seconde électrode, la formation d'une seconde zone présentant une quatrième conductivité formée sur la seconde zone et qui crée un composite de type p-n.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)