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1. (WO2008051300) DISPOSITIFS À NANO-ÉMISSION, CIRCUITS INTÉGRÉS UTILISANT DES DISPOSITIFS À NANO-ÉMISSION, ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
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N° de publication : WO/2008/051300 N° de la demande internationale : PCT/US2007/009829
Date de publication : 02.05.2008 Date de dépôt international : 19.04.2007
CIB :
H01J 1/30 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
J
TUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
1
Détails des électrodes, des moyens de commande magnétiques, des écrans, ou du montage ou de l'espacement de ces éléments, communs au moins à deux types de base de tubes ou lampes à décharge
02
Electrodes principales
30
Cathodes froides
Déposants :
KANZEN INC. [US/US]; 808 East 1910 South Provo, UT 84604, US (AllExceptUS)
SUMMERS, David [US/US]; US (UsOnly)
BROWN, Phil [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
SUMMERS, David; US
BROWN, Phil; US
Mandataire :
NORTH, Vaughn, W. ; Thorpe North & Western, LLP PO Box 1219 Sandy, UT 84091-1219, US
Données relatives à la priorité :
60/793,34319.04.2006US
60/832,32021.07.2006US
60/901,56114.02.2007US
Titre (EN) NANO EMISSION DEVICES, INTEGRATED CIRCUITS USING NANO EMISSION DEVICES, AND RELATED METHODS
(FR) DISPOSITIFS À NANO-ÉMISSION, CIRCUITS INTÉGRÉS UTILISANT DES DISPOSITIFS À NANO-ÉMISSION, ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé :
(EN) Embodiments of the present invention are generally directed towards nano emission devices. Nano emission devices can include, for example, diodes (1200), N-type transistors (100, 200, 250, 500, 600, 900), P-type transistors (250, 300, 500, 600, 800, 900, 1500), and combined N- and P- type nano emission transistors (400). Nano emission devices can include multiple emitters, collectors, gates and the like to form more complex nano emission devices (1600, 1900, 2200). Nano emission devices may be connected together to form various circuits, including for example, logic gates (1402, 1404, 1408), memory cells (1406), amplifiers, and the like. Nano emission devices may be fabricated in two- and three-dimensional integrated circuits (1700, 2300, 2400). Methods of fabricating (700, 750, 1100, 2500, 2600) nano emission devices and electronic circuits are also described.
(FR) Des modes de réalisation de l'invention concernent d'une façon générale des dispositifs à nano-émission. Les dispositifs à nano-émission peuvent comporter, par exemple, des diodes (1200), des transistors du type N (100, 200, 250, 500, 600, 900), des transistors du type P (250, 300, 500, 600, 800, 900, 1500), et des transistors à nano-émission du type N et du type P (400). Les dispositifs à nano-émission peuvent comporter une pluralité d'émetteurs, de collecteurs, de grilles, et autres composants analogues formant des dispositifs à nano-émission plus complexes (1600, 1900, 2200). Les dispositifs à nano-émission peuvent être reliés entre eux pour former divers circuits, notamment des portes logiques (1402, 1404, 1408), des cellules de mémoire (1406) ou des amplificateurs. Les dispositifs à nano-émission peuvent être fabriqués dans des circuits intégrés à deux et à trois dimensions (1700, 2300, 2400). L'invention concerne également des procédés de fabrication (700, 750, 1100, 2500, 2600) de dispositifs à nano-émission et de circuits électroniques.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)