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1. (WO2008051184) AMELIORATION DE LA CONDUCTIVITE D'UNE INTERFACE THERMIQUE UTILISANT DES MATRICES DE NANOTUBES DE CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/051184 N° de la demande internationale : PCT/US2006/030613
Date de publication : 02.05.2008 Date de dépôt international : 05.08.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 01.03.2007
CIB :
H01L 23/373 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
34
Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température
36
Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p.ex. dissipateurs de chaleur
373
Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
Déposants :
PURDUE RESEARCH FOUNDATION [US/US]; 3000 Kent Avenue West Lafayette, IN 47906-1075, US (AllExceptUS)
XU, Jun [CN/CN]; CN (UsOnly)
FISHER, Timothy, S. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
XU, Jun; CN
FISHER, Timothy, S.; US
Mandataire :
HARTMAN & HARTMAN, P.C.; 552 East 700 North Valparaiso, IN 46383, US
Données relatives à la priorité :
11/462,45204.08.2006US
60/706,20305.08.2005US
Titre (EN) ENHANCEMENT OF THERMAL INTERFACE CONDUCTIVITIES WITH CARBON NANOTUBE ARRAYS
(FR) AMELIORATION DE LA CONDUCTIVITE D'UNE INTERFACE THERMIQUE UTILISANT DES MATRICES DE NANOTUBES DE CARBONE
Abrégé :
(EN) A method of forming a well-anchored carbon nanotube (CNT) array, as well as thermal interfaces that make use of CNT arrays to provide very high thermal contact conductance. A thermal interface is formed between two bodies by depositing a continuous array of carbon nanotubes on a first of the bodies so that, on mating the bodies, the continuous array is between surface portions of the first and second bodies. The thermal interface preferably includes a multilayer anchoring structure that promotes anchoring of the continuous array of carbon nanotubes to the first body. The anchoring structure includes a titanium bond layer contacting the surface portion of the first body, and an outermost layer with nickel or iron catalytic particles from which the continuous array of carbon nanotubes are nucleated and grown. Additional thermal interface materials (TIM's) can be used in combination with the continuous array of carbon nanotubes.
(FR) L'invention concerne un procédé consistant à former une matrice de nanotubes de carbone (CNT) bien ancrée, ainsi que des interfaces thermiques qui utilisent des matrices CNT pour fournir une très haute conductance thermique de contact. On constitue une interface thermique entre deux corps en déposant une matrice continue de nanotubes de carbone sur le premier des corps de sorte que, lors de la mise en contact des corps, la matrice continue est placée entre les parties de surface du premier et du second corps. L'interface thermique comporte de préférence une structure d'ancrage multicouche qui favorise l'ancrage de la matrice continue de nanotubes de carbone au premier corps. La structure d'ancrage comprend une couche de liaison en titane qui est en contact avec la partie de surface du premier corps, et une couche externe contenant des particules catalytiques de nickel ou de fer, à partir de laquelle la matrice continue de nanotubes de carbone est nucléée et cultivée. Il est possible d'utiliser des matériaux supplémentaires d'interface thermique (TIM) en combinaison avec la matrice continue de nanotubes de carbone.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)