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1. (WO2008050724) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, FEUILLE D'ESPACEMENT UTILISÉE DANS CEUX-CI, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/050724 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/070563
Date de publication : 02.05.2008 Date de dépôt international : 22.10.2007
CIB :
H01L 25/10 (2006.01) ,H01L 25/11 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
10
les dispositifs ayant des conteneurs séparés
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
10
les dispositifs ayant des conteneurs séparés
11
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 〒1730001 東京都板橋区本町23番23号 Tokyo 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP (AllExceptUS)
篠田 智則 SHINODA, Tomonori [JP/JP]; JP (UsOnly)
賤機 弘憲 SHIZUHATA, Hironori [JP/JP]; JP (UsOnly)
篠田 裕文 SHINODA, Hirofumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
川又 勇司 KAWAMATA, Yuji [JP/JP]; JP (UsOnly)
田島 武 TASHIMA, Takeshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
島村 将人 SHIMAMURA, Masato [JP/JP]; JP (UsOnly)
渡辺 雅子 WATANABE, Masako [JP/JP]; JP (UsOnly)
雨海 正純 AMAGAI, Masazumi [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
篠田 智則 SHINODA, Tomonori; JP
賤機 弘憲 SHIZUHATA, Hironori; JP
篠田 裕文 SHINODA, Hirofumi; JP
川又 勇司 KAWAMATA, Yuji; JP
田島 武 TASHIMA, Takeshi; JP
島村 将人 SHIMAMURA, Masato; JP
渡辺 雅子 WATANABE, Masako; JP
雨海 正純 AMAGAI, Masazumi; JP
Mandataire :
大谷 保 OHTANI, Tamotsu; 〒1050001 東京都港区虎ノ門三丁目25番2号 ブリヂストン虎ノ門ビル6階 大谷特許事務所 Tokyo OHTANI PATENT OFFICE, Bridgestone Toranomon Bldg. 6F., 25-2, Toranomon 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050001, JP
Données relatives à la priorité :
2006-28907024.10.2006JP
Titre (EN) COMPOSITE SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR PACKAGE AND SPACER SHEET USED IN THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE, BOÎTIER DE SEMI-CONDUCTEUR, FEUILLE D'ESPACEMENT UTILISÉE DANS CEUX-CI, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPOSITE
(JA) 複合型半導体装置、それに用いられる半導体パッケージ及びスペーサーシート、並びに複合型半導体装置の製造方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a composite semiconductor device which is formed by stacking a plurality of semiconductor packages. This composite semiconductor device comprises a spacer sheet inserted and adhered between a wiring connection substrate for an upper semiconductor package and a wiring connection substrate for a lower semiconductor package. Also disclosed are a method for manufacturing such a composite semiconductor device, and a method for connecting wirings by using such a spacer sheet. Consequently, there can be obtained a POP type composite semiconductor device with high packaging density.
(FR) L'invention concerne un dispositif semi-conducteur composite formé par l'empilement d'une pluralité de boîtiers de semi-conducteur. Ce dispositif semi-conducteur composite comprend une feuille d'espacement insérée et collée entre un substrat de connexions de circuits électriques destiné à un boîtier de semi-conducteur supérieur et un substrat de connexions de circuits électriques destiné à un boîtier de semi-conducteur inférieur. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif semi-conducteur composite, et un procédé destiné à relier des circuits électriques au moyen d'une telle feuille d'espacement. Ainsi, on peut obtenir un dispositif semi-conducteur composite de type POP (boîtier-sur-boîtier) présentant une haute densité de conditionnement.
(JA)  本発明は、複数の半導体パッケージが積層して形成される複合型半導体装置であって、上部半導体パッケージの配線接続用基板と下部半導体パッケージの配線接続用基板の間に接着し挿嵌しているスペーサシートを備えた複合型半導体装置及びその製造方法、並びに当該スペーサシートによる配線接続方法を提供するものであって、これにより実装密度の高いPOP型の複合型半導体装置を提供するものである。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)
Également publié sous:
KR1020090073196US20100025837