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1. (WO2008050596) PROCÉDÉ DE DOPAGE PAR PLASMA ET APPAREIL DE DOPAGE PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/050596 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/069472
Date de publication : 02.05.2008 Date de dépôt international : 04.10.2007
CIB :
H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/22 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01) ,H05H 1/00 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
26
Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires
263
par des radiations d'énergie élevée
265
produisant une implantation d'ions
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
22
Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
H
TECHNIQUE DU PLASMA; PRODUCTION DE PARTICULES ÉLECTRIQUEMENT CHARGÉES ACCÉLÉRÉES OU DE NEUTRONS; PRODUCTION OU ACCÉLÉRATION DE FAISCEAUX MOLÉCULAIRES OU ATOMIQUES NEUTRES
1
Production du plasma; Mise en œuvre du plasma
24
Production du plasma
46
utilisant des champs électromagnétiques appliqués, p.ex. de l'énergie à haute fréquence ou sous forme de micro-ondes
Déposants :
パナソニック株式会社 PANASONIC CORPORATION [JP/JP]; 5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501, JP (AllExceptUS)
奥村 智洋 OKUMURA, Tomohiro; null (UsOnly)
永井 久雄 NAGAI, Hisao; null (UsOnly)
佐々木 雄一朗 SASAKI, Yuichiro; null (UsOnly)
岡下 勝己 OKASHITA, Katsumi; null (UsOnly)
伊藤 裕之 ITO, Hiroyuki; null (UsOnly)
水野 文二 MIZUNO, Bunji; null (UsOnly)
Inventeurs :
奥村 智洋 OKUMURA, Tomohiro; null
永井 久雄 NAGAI, Hisao; null
佐々木 雄一朗 SASAKI, Yuichiro; null
岡下 勝己 OKASHITA, Katsumi; null
伊藤 裕之 ITO, Hiroyuki; null
水野 文二 MIZUNO, Bunji; null
Mandataire :
前田 弘 MAEDA, Hiroshi; 〒5410053 大阪府大阪市中央区本町2丁目5番7号 大阪丸紅ビル Osaka Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5410053, JP
Données relatives à la priorité :
2006-29033225.10.2006JP
Titre (EN) PLASMA DOPING METHOD AND PLASMA DOPING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE DOPAGE PAR PLASMA ET APPAREIL DE DOPAGE PAR PLASMA
(JA) プラズマドーピング方法及びプラズマドーピング装置
Abrégé :
(EN) Before plasma doping treatment, plasma comprising gas containing an element belonging to the same group of the periodic table as a main element constituting a silicon substrate (9), for example, plasma of a monosilane gas, is generated within a vacuum vessel (1) to cover the inner wall of the vacuum vessel (1) with a silicon-containing film. Thereafter, the silicon substrate (9) is subjected to plasma doping treatment.
(FR) Dans le cadre de la présente invention, avant le traitement de dopage par plasma, un plasma comprenant un gaz qui contient un élément qui appartient au même groupe de la table périodique qu'un élément principal qui constitue un substrat de silicium (9), par exemple un plasma d'un gaz de monosilane, est généré à l'intérieur d'un récipient sous vide (1) pour couvrir la paroi intérieure du récipient sous vide (1) avec un film qui contient du silicium. Après cela, le substrat de silicium (9) est soumis à un traitement de dopage par plasma.
(JA)  プラズマドーピング処理の実施前に、真空容器1内に、シリコン基板9を構成する主要元素と周期律上で同属の元素を含むガス、例えばモノシランガスからなるプラズマを発生させる。これにより、真空容器1の内壁をシリコン含有膜によって被覆する。その後、シリコン基板9に対してプラズマドーピング処理を実施する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)
Also published as:
US20090233385