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1. (WO2008049790) NOUVEAU MÉTAL DE GROUPE V CONTENANT DES PRÉCURSEURS ET LEUR UTILISATION POUR UN MÉTAL CONTENANT UN DÉPÔT DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/049790 N° de la demande internationale : PCT/EP2007/061216
Date de publication : 02.05.2008 Date de dépôt international : 19.10.2007
CIB :
C07F 17/00 (2006.01) ,C23C 16/30 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
07
CHIMIE ORGANIQUE
F
COMPOSÉS ACYCLIQUES, CARBOCYCLIQUES OU HÉTÉROCYCLIQUES CONTENANT DES ÉLÉMENTS AUTRES QUE LE CARBONE, L'HYDROGÈNE, LES HALOGÈNES, L'OXYGÈNE, L'AZOTE, LE SOUFRE, LE SÉLÉNIUM OU LE TELLURE
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Metallocènes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
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REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
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Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
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caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
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Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p.ex. borures, carbures, nitrures
Déposants :
L'AIR LIQUIDE SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE [FR/FR]; 75 quai d'Orsay F-75007 Paris, FR (AllExceptUS)
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, rue Michel-Ange F-75794 Paris Cedex 16, FR (AllExceptUS)
BLASCO, Nicolas [FR/FR]; FR (UsOnly)
DANIELE, Stephane [FR/FR]; FR (UsOnly)
MERLE, Nicolas [FR/FR]; FR (UsOnly)
DUSSARRAT, Christian [FR/FR]; FR (UsOnly)
Inventeurs :
BLASCO, Nicolas; FR
DANIELE, Stephane; FR
MERLE, Nicolas; FR
DUSSARRAT, Christian; FR
Mandataire :
CONAN, Philippe; c/o L'air Liquide SA F-75321 Paris Cedex 07, FR
Données relatives à la priorité :
06301090.426.10.2006EP
Titre (EN) NEW GROUP V METAL CONTAINING PRECURSORS AND THEIR USE FOR METAL CONTAINING FILM DEPOSITION
(FR) NOUVEAU MÉTAL DE GROUPE V CONTENANT DES PRÉCURSEURS ET LEUR UTILISATION POUR UN MÉTAL CONTENANT UN DÉPÔT DE FILM
Abrégé :
(EN) Compound of the formula (Ia), or of the formula (Ib). These new precursors are useful for pure metal, metallic oxide, oxynitride, nitride and/or silicide film deposition to make electrodes and/or high k layers, and/or copper diffusion barrier layers, etc...
(FR) L'invention concerne un composé de la formule (Ia) ou de la formule (Ib). Ces nouveaux précurseurs sont utiles pour le dépôt de films de métal pur, d'oxyde métallique, d'oxynitrure, de nitrure et/ou de siliciure afin de fabriquer des électrodes et/ou des couches à constante diélectrique élevée et/ou des couches barrières à la diffusion de cuivre, etc.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)
Également publié sous:
SG151485EP2079751EP1916253JP2010507729US20100055310CN101528759