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1. (WO2008049332) COMPOSÉ DE NETTOYAGE POUR ÉLIMINER UN PHOTORÉSIST
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/049332 N° de la demande internationale : PCT/CN2007/003021
Date de publication : 02.05.2008 Date de dépôt international : 22.10.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 : 13.08.2008
CIB :
G03F 7/42 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,C23G 1/06 (2006.01) ,C11D 1/83 (2006.01)
G PHYSIQUE
03
PHOTOGRAPHIE; CINÉMATOGRAPHIE; TECHNIQUES ANALOGUES UTILISANT D'AUTRES ONDES QUE DES ONDES OPTIQUES; ÉLECTROGRAPHIE; HOLOGRAPHIE
F
PRODUCTION PAR VOIE PHOTOMÉCANIQUE DE SURFACES TEXTURÉES, p.ex. POUR L'IMPRESSION, POUR LE TRAITEMENT DE DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS; MATÉRIAUX À CET EFFET; ORIGINAUX À CET EFFET; APPAREILLAGES SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À CET EFFET
7
Production par voie photomécanique, p.ex. photolithographique, de surfaces texturées, p.ex. surfaces imprimées; Matériaux à cet effet, p.ex. comportant des photoréserves; Appareillages spécialement adaptés à cet effet
26
Traitement des matériaux photosensibles; Appareillages à cet effet
42
Elimination des réserves ou agents à cet effet
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
G
NETTOYAGE OU DÉGRAISSAGE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DES PROCÉDÉS CHIMIQUES NON ÉLECTROLYTIQUES
1
Nettoyage ou décapage de matériaux métalliques au moyen de solutions ou de sels fondus
02
avec des solutions acides
04
avec emploi d'inhibiteurs
06
inhibiteurs organiques
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
11
HUILES, GRAISSES, MATIÈRES GRASSES OU CIRES ANIMALES OU VÉGÉTALES; LEURS ACIDES GRAS; DÉTERGENTS; BOUGIES
D
COMPOSITIONS DÉTERGENTES; EMPLOI D'UNE SUBSTANCE, UTILISÉE SEULE, COMME DÉTERGENT; SAVON OU FABRICATION DU SAVON; SAVONS DE RÉSINE; RÉCUPÉRATION DE LA GLYCÉRINE
1
Compositions détergentes formées essentiellement de composés tensio-actifs; Emploi de ces composés comme détergents
66
Composés non ioniques
83
Mélanges de composés non ioniques et anioniques
Déposants :
安集微电子(上海)有限公司 ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; 中国上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼613-618室, Shanghai 201203 Suite 613-618, Building #5 No. 3000 Longdong Avenue Zhangjiang Hi-Tech Park Pudong Shanghai 201203, CN (AllExceptUS)
彭洪修 PENG, Libbert, Hongxiu [CN/CN]; CN (UsOnly)
史永涛 SHI, Robert, Yongtao [CN/CN]; CN (UsOnly)
刘兵 LIU, Bing [CN/CN]; CN (UsOnly)
Inventeurs :
彭洪修 PENG, Libbert, Hongxiu; CN
史永涛 SHI, Robert, Yongtao; CN
刘兵 LIU, Bing; CN
Mandataire :
上海翰鸿律师事务所 HANHONG LAW FIRM; 中国上海市南京东路61号新黄浦金融大厦1505室, Shanghai 200002 Room 1505 New Huang Pu Financial Building No.61 East Nanjing Road Shanghai 200002, CN
Données relatives à la priorité :
200610117667.527.10.2006CN
Titre (EN) A CLEANING COMPOUND FOR REMOVING PHOTORESIST
(FR) COMPOSÉ DE NETTOYAGE POUR ÉLIMINER UN PHOTORÉSIST
(ZH) 一种光刻胶清洗剂
Abrégé :
(EN) A cleaning composition for removing photoresist includes a dimethylsulfone, a quaternary ammonium hydroxide, characterized in that further includes a surfactant, the surfactant is a hydroxyl-containing polyether. The cleaning composition including the surfactant of the hydroxyl-containing polyether is used to clean photoresist on the metal, metal alloy or dielectric substrate.
(FR) L'invention concerne une composition de nettoyage pour éliminer un photorésist comprend une diméthylsulfone, un hydroxyde d'ammonium quaternaire. Elle est caractérisée par le fait qu'elle comprend en outre un agent tensio-actif, l'agent tensio-actif étant un polyéther à teneur en hydroxyle. La composition de nettoyage comprenant l'agent tensio-actif du polyéther à teneur en hydroxyle est utilisée pour nettoyer un photorésist sur un substrat métallique, d'alliage métallique ou diélectrique.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Chinois (ZH)
Langue de dépôt : Chinois (ZH)
Également publié sous:
CN101523299