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1. (WO2008048985) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURES D'ISOLATION À TRANCHÉES PEU PROFONDE ET PROFONDE INTÉGRÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/048985    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/081592
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 17.10.2007
CIB :
H01B 13/00 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
HAUSSMAN, Joerg [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
DIRNECKER, Christoph [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WAGNER, Rupert [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : HAUSSMAN, Joerg; (DE).
DIRNECKER, Christoph; (DE).
WAGNER, Rupert; (DE)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474, MS 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
102006048960.8 17.10.2006 DE
11/873,062 16.10.2007 US
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING INTEGRATED DEEP AND SHALLOW TRENCH ISOLATION STRUCTURES
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE STRUCTURES D'ISOLATION À TRANCHÉES PEU PROFONDE ET PROFONDE INTÉGRÉE
Abrégé : front page image
(EN)A method of forming an integrated deep and shallow trench isolation structure comprises depositing a hard mask on a film stack (10) having a plurality of layers formed on a substrate (11) such that the hard mask (16) is deposited on a furthermost layer from the substrate, imprinting a first pattern into the hard mask to define an open end of a first trench, imprinting a second pattern into the hard mask to define an open end of a second trench, and etching into the film stack the first trench to a first depth and the second trench to a second depth such that the first trench and the second trench each define a blind aperture in the surface of the film stack.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former une structure d'isolation à tranchées peu profonde et profonde intégrée, comprenant les étapes consistant à : déposer un masque dur sur une pile de film (10) comportant une pluralité de couches formées sur un substrat (11), de telle sorte que le masque dur (16) est déposé sur la couche la plus éloignée du substrat ; imprimer un premier motif dans le masque dur afin de définir une extrémité ouverte d'une première tranchée ; imprimer un second motif dans le masque dur afin de définir une extrémité ouverte d'une seconde tranchée ; et graver dans la pile de film la première tranchée à une première profondeur et la seconde tranchée à une seconde profondeur, de sorte que la première tranchée et la seconde tranchée définissent chacune une ouverture aveugle dans la surface de la pile de film.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)