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1. (WO2008048862) FORMATION DE FILMS DIÉLECTRIQUES DE DIOXYDE DE SILICIUM DE GRANDE QUALITÉ POUR STI: UTILISATION DE DIFFÉRENTS PRÉCURSEURS À BASE DE SILOXANE POUR PROCÉDÉS DE DÉPÔT ACTIVÉ PAR PLASMA À DISTANCE HARP II
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/048862    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/081139
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 11.10.2007
CIB :
C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; P.O. Box 450A, Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
MALLICK, Abhijit, Basu [IN/US]; (US) (US Seulement).
MUNRO, Jeffrey, C. [US/US]; (US) (US Seulement).
NEMANI, Srinivas, D. [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MALLICK, Abhijit, Basu; (US).
MUNRO, Jeffrey, C.; (US).
NEMANI, Srinivas, D.; (US)
Mandataire : BERNARD, Eugene; Townsend and Townsend and Crew LLP, 1200 17th Street, Suite 2700, Denver, Colorado 80202, (US)
Données relatives à la priorité :
11/549,930 16.10.2006 US
Titre (EN) FORMATION OF HIGH QUALITY DIELECTRIC FILMS OF SILICON DIOXIDE FOR STI: USAGE OF DIFFERENT SILOXANE-BASED PRECURSORS FOR HARP II - REMOTE PLASMA ENHANCED DEPOSITION PROCESSES
(FR) FORMATION DE FILMS DIÉLECTRIQUES DE DIOXYDE DE SILICIUM DE GRANDE QUALITÉ POUR STI: UTILISATION DE DIFFÉRENTS PRÉCURSEURS À BASE DE SILOXANE POUR PROCÉDÉS DE DÉPÔT ACTIVÉ PAR PLASMA À DISTANCE HARP II
Abrégé : front page image
(EN)Methods of depositing a dielectric layer in a gap formed on a substrate are described. The methods include introducing an organo-silicon precursor and an oxygen precursor to a deposition chamber. The organo-silicon precursor has a C:Si atom ratio of less than 8, and the oxygen precursor comprises atomic oxygen that is generated outside the deposition chamber. The precursors are reacted to form the dielectric layer in the gap. Methods of filling gaps with dielectric materials are also described. These methods include providing an organo-silicon precursor having a C:Si atom ratio of less than 8 and an oxygen precursor, and generating a plasma from the precursors to deposit a first portion of the dielectric material in the gap. The dielectric material may be etched, and a second portion of dielectric material may be formed in the gap. The first and second portions of the dielectric material may be annealed.
(FR)Cette invention concerne des procédés permettant de déposer une couche diélectrique dans un interstice formé sur un substrat. Les procédés décrits dans cette invention consistent à introduire un précurseur d'organosilicium et un précurseur d'oxygène dans une chambre de dépôt. Le précurseur d'organosilicium présente un rapport atomique C:Si inférieur à 8, et le précurseur d'oxygène comprend un oxygène atomique généré à l'extérieur de la chambre de dépôt. Les précurseurs réagissent de manière à former la couche diélectrique dans l'interstice. On décrit également des procédés permettant de remplir des interstices avec des matériaux diélectriques. Ces procédés consistent à utiliser un précurseur d'organosilicium présentant un rapport atomique C:Si inférieur à 8 et un précurseur d'oxygène, puis à générer un plasma à partir des précurseurs pour déposer une première portion du matériau diélectrique dans l'interstice. Le matériau diélectrique peut être gravé, puis une seconde portion du matériau diélectrique peut être formée dans l'interstice. La première portion et la seconde portion du matériau diélectrique peuvent être recuites.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)