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1. (WO2008048812) RÉALISATION D'UNE MÉMOIRE RÉMANENTE AVEC STRUCTURE DE GRILLE À DOUBLE SÉLECTION DE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/048812    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/080745
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 08.10.2007
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 McCarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
MOKHLESI, Nima [IR/US]; (US) (US Seulement).
HIGASHITANI, Masaaki [JP/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOKHLESI, Nima; (US).
HIGASHITANI, Masaaki; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & DeNiro, LLP, 575 Market Street, Suite 2500, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
11/550,383 17.10.2006 US
11/550,386 17.10.2006 US
11/550,382 17.10.2006 US
Titre (EN) FABRICATING NON-VOLATILE MEMORY WITH DUAL VOLTAGE SELECT GATE STRUCTURE
(FR) RÉALISATION D'UNE MÉMOIRE RÉMANENTE AVEC STRUCTURE DE GRILLE À DOUBLE SÉLECTION DE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)A select gate structure for a non-volatile storage system include a select gate and a coupling electrode which are independently drivable. The coupling electrode is adjacent to a word line in a NAND string and has a voltage applied which reduces gate induced drain lowering (GIDL) program disturb of an adjacent unselected non-volatile storage element. In particular, an elevated voltage can be applied to the coupling electrode when the adjacent word line is used for programming. A reduced voltage is applied when a non-adjacent word line is used for programming. The voltage can also be set based on other programming criterion. The select gate is provided by a first conductive region while the coupling electrode is provided by a second conductive region formed over, and isolated from, the first conductive region.
(FR)Structure de grille de sélection pour système de stockage rémanent comprenant une grille de sélection et une électrode de couplage commandées séparément l'une de l'autre. L'électrode de couplage est adjacente à la ligne de mots dans une chaîne NON ET, avec une tension appliquée qui réduit la perturbation de programme par baisse de drain (gate induced drain lowering/GIDL) d'un élément de stockage rémanent adjacent non sélectionné. En particulier, une tension accrue peut être appliquée à l'électrode de couplage lorsque la ligne de mots adjacente est utilisée aux fins de programmation. Une tension réduite peut également être appliquée lorsqu'une ligne non adjacente est utilisée pour la programmation. La tension peut également être définie en fonction d'un autre critère de programmation. La grille de sélection est constituée par une première région conductrice alors que l'électrode de couplage est constituée par une seconde région conductrice formée sur la première région conductrice, dont elle est isolée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)