WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008048330) ARTICLE SUPER-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/048330    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/062657
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 28.12.2006
CIB :
H01L 39/24 (2006.01), B05D 5/12 (2006.01)
Déposants : SUPERPOWER, INC. [US/US]; 450 Duane Avenue, Schenectady, New York 12304 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : XIONG, Xuming; (US).
SELVAMANICKAM, Venkat; (US).
HOU, Ping; (US)
Mandataire : ABEL, Jeffrey, S.; LARSON NEWMAN ABEL POLANSKY & WHITE, LLP, 5914 West Courtyard Drive, Suite 200, Austin, Texas 78730 (US)
Données relatives à la priorité :
11/320,104 28.12.2005 US
Titre (EN) A SUPERCONDUCTING ARTICLE AND METHOD OF FORMING A SUPERCONDUCTING ARTICLE
(FR) ARTICLE SUPER-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FORMATION
Abrégé : front page image
(EN)A superconducting article and a method of making a superconducting article is described. The method of forming a superconducting article includes providing a substrate, forming a buffer layer to overlie the substrate, the buffer layer including a first buffer film deposited in the presence of an ion beam assist source and having a uniaxial crystal texture. The method further includes forming a superconducting layer to overlie the buffer layer.
(FR)La présente invention concerne un article super-conducteur et son procédé de fabrication. Le procédé de formation passe par la fourniture d'un substrat, la formation d'une couche tampon pour recouvrir le substrat, celle-ci comprenant un premier film tampon déposé en présence d'une source d'assistance au faisceau d'ions et ayant une texture de cristal uni-axial. Le procédé passe également par la formation d'une couche de super-conducteur pour recouvrir la couche tampon.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)