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1. (WO2008048232) NANOSTRUCTURE ET PILE PHOTOVOLTAÏQUE LA METTANT EN OEUVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/048232    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/032986
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 22.08.2006
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.02.2007    
CIB :
H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : Q1 NANOSYSTEMS, INC. [US/US]; 245 Boatman Avenue, Suite 110, Sacramento, CA 95691 (US) (Tous Sauf US).
ARGO, Brian [US/US]; (US) (US Seulement).
VIDU, Ruxandra [RO/US]; (US) (US Seulement).
STROEVE, Pieter [US/US]; (US) (US Seulement).
ARGO, John [US/US]; (US) (US Seulement).
KU, Jie-Ren [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ARGO, Brian; (US).
VIDU, Ruxandra; (US).
STROEVE, Pieter; (US).
ARGO, John; (US).
KU, Jie-Ren; (US)
Mandataire : KOTAB, Dominic, M.; Zilka-Kotab, PC, P.O. Box 721120, San Jose, CA 95172-1120 (US)
Données relatives à la priorité :
60/710,097 22.08.2005 US
60/710,262 22.08.2005 US
Titre (EN) NANOSTRUCTURE AND PHOTOVOLTAIC CELL IMPLEMENTING SAME
(FR) NANOSTRUCTURE ET PILE PHOTOVOLTAÏQUE LA METTANT EN OEUVRE
Abrégé : front page image
(EN)Nanostructures and photovoltaic structures are disclosed. Method for creating nanostructures are also presented.
(FR)L'invention concerne des nanostructures et des structures photovoltaïques, ainsi que des procédés de création de ces nanostructures.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)