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1. (WO2008047896) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/047896    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/070416
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 19.10.2007
CIB :
H01L 51/30 (2006.01), C07D 495/04 (2006.01), C07D 517/04 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
Déposants : NIPPON KAYAKU KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 11-2, Fujimi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1028172 (JP) (Tous Sauf US).
Hiroshima University [JP/JP]; 3-2, Kagamiyama 1-chome, Higashihiroshima-shi, Hiroshima 7398511 (JP) (Tous Sauf US).
TAKIMIYA, Kazuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
EBATA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUWABARA, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IKEDA, Masaaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YUI, Tatsuto [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKIMIYA, Kazuo; (JP).
EBATA, Hideaki; (JP).
KUWABARA, Hirokazu; (JP).
IKEDA, Masaaki; (JP).
YUI, Tatsuto; (JP)
Mandataire : ASAMURA, Kiyoshi; Room 331, New Ohtemachi Bldg. 2-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-285872 20.10.2006 JP
2007-060569 09.03.2007 JP
Titre (EN) FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタ
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a field-effect transistor characterized by using a compound represented by the formula (1) below as a semiconductor material. (In the formula (1), X1 and X2 independently represent a sulfur atom, a selenium atom or a tellurium atom; and R1 and R2 independently represent an unsubstituted or halogeno-substituted C1-C36 aliphatic hydrocarbon group.)
(FR)La présente invention concerne un transistor à effet de champ caractérisé en ce qu'il utilise un composé représenté par la formule (1) ci-dessous sous forme de matériau à semi-conducteur. (Dans la formule (1), X1 et X2 représentent indépendamment un atome de soufre, un atome de sélénium ou un atome de tellure et R1 et R2 représentent indépendamment un groupe d'hydrocarbures aliphatiques C1-C36 halogéno-substitué ou non-substitué).
(JA) 本発明は、下記式(1)で表される化合物を半導体材料として用いることを特徴とする電界効果トランジスタを提供する。 (式(1)中、X1及びX2はそれぞれ独立に硫黄原子、セレン原子、テルル原子を表す。R及びRはそれぞれ独立に無置換またはハロゲノ置換C1-C36脂肪族炭化水素基を表す。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)