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1. (WO2008047881) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE GRAIN DE SILICIUM CRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/047881    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/070384
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 18.10.2007
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), C01B 33/02 (2006.01), C30B 30/08 (2006.01), H01L 21/208 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP) (Tous Sauf US).
SUGAWARA, Shin [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUSABE, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Eigo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIYAUCHI, Kouji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARIMUNE, Hisao [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SUGAWARA, Shin; (JP).
KUSABE, Kazuhiro; (JP).
TAKAHASHI, Eigo; (JP).
MIYAUCHI, Kouji; (JP).
ARIMUNE, Hisao; (JP)
Mandataire : FUKAI, Toshikazu; OMM Bldg. 8th Floor, 7-31, Otemae 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406591 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-284586 19.10.2006 JP
2006-294110 30.10.2006 JP
2006-347902 25.12.2006 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING CRYSTAL SILICON GRAIN AND CRYSTAL SILICON GRAIN PRODUCTION APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE GRAIN DE SILICIUM CRISTALLIN
(JA) 結晶シリコン粒子の製造方法及び結晶シリコン粒子の製造装置
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a process for producing crystal silicon grains with high crystal quality of low fluctuation at low cost with high productivity through controlling so as to lower the supercooling degree of granular silicon melt, and provide a production apparatus for use therein. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] There is provided a process for producing crystal silicon grains (8) through cooling of granular silicon melt (7) during the fall thereof to thereby solidify the same, which process comprises the supercooling step of controlling the supercooling degree ((supercooling degree) = (melting point of silicon) - (solidification starting temperature)) of granular silicon melt (7) so as to be a weak supercooling degree lower the supercooling degree at spontaneous cooling and cooling the granular silicon melt (7) held in molten form to the solidification starting temperature of the weak supercooling degree; and the heat retaining step of conducting heat retention after the point of time of having reached the solidification starting temperature of the weak supercooling degree.
(FR)Le problème à résoudre dans le cadre de la présente invention consiste à proposer un procédé de production de grains de silicium cristallins d'une qualité de cristal élevée de faible fluctuation à bas coût avec une productivité élevée à travers une régulation de façon à abaisser le degré de surfusion du bain de silicium granulaire et proposer un appareil de production pour une utilisation dans ce procédé. La solution proposée est un procédé de production de grains de silicium cristallins (8) par le refroidissement d'un bain de silicium granulaire (7) lors du versement de celui-ci de façon à le solidifier, lequel procédé comprend l'étape de surfusion destinée à réguler le degré de surfusion ((degré de surfusion) = (température de fusion du silicium) - (température de début de solidification)) du bain de silicium granulaire (7) afin d'obtenir un faible degré de surfusion plus bas que le degré de surfusion lors du refroidissement spontané et le refroidissement du bain de silicium granulaire (7) maintenu sous sa forme en fusion à la température de début de solidification du faible degré de surfusion ; et l'étape de conservation de la chaleur destinée à conserver la chaleur après avoir atteint la température de départ de solidification du faible degré de surfusion.
(JA)【課題】 粒状のシリコン融液の過冷却度が小さくなるように制御して、結晶品質が高品質でばらつきの少ないものを、高い生産性で低コストに製造する製造方法及び製造装置を提供する。 【解決手段】粒状のシリコン融液7を落下中に冷却して固化させることによって結晶シリコン粒子8を製造する製造方法であって、粒状のシリコン融液7の過冷却度((過冷却度)=(シリコンの融点)-(凝固開始温度))を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度とし、弱過冷却度の凝固開始温度まで融液状態のままで粒状のシリコン融液7を冷却する過冷却工程と、弱過冷却度の凝固開始温度に達した時点以降に温度を保持する保温工程とを具備する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)