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1. (WO2008047726) SUBSTRAT DE TRANSISTOR EN FILM MINCE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/047726    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/069995
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 12.10.2007
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Déposants : KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO [JP/JP]; 10-26, Wakinohama-cho 2-chome, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6518585 (JP) (Tous Sauf US).
HINO, Aya; (US Seulement).
GOTOU, Hiroshi; (US Seulement)
Inventeurs : HINO, Aya; .
GOTOU, Hiroshi;
Mandataire : OGURI, Shohei; Eikoh Patent Office, 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-280532 13.10.2006 JP
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
(FR) SUBSTRAT DE TRANSISTOR EN FILM MINCE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 薄膜トランジスタ基板および表示デバイス
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a thin film transistor substrate comprising a semiconductor layer (33) of a thin film transistor and source-drain electrodes (28, 29). The source-drain electrodes (28, 29) are composed of layers (28a, 29a) which may be nitrogen-containing layers containing nitrogen or oxygen-nitrogen-containing layers containing nitrogen and oxygen, and thin films (28b, 29b) made of pure Cu or a Cu alloy. A part or all of nitrogen constituting the nitrogen-containing layers or a part of all of nitrogen or oxygen constituting the oxygen-nitrogen-containing layers is bonded with Si in the semiconductor layer (33) of the thin film transistor. The thin films (28b, 29b) made of pure Cu or a Cu alloy are connected with the semiconductor layer (33) of the thin film transistor through the nitrogen-containing or oxygen-nitrogen-containing layers (28a, 29a).
(FR)L'invention concerne un substrat de transistor en film mince comportant une couche semi-conductrice (33) d'un transistor en film mince et des électrodes source-déversoir (28, 29). Les électrodes source-déversoire (28, 29) sont composées de couches (28a, 29a) qui peuvent être des couches contenant de l'azote qui contiennent de l'azote, ou des couches contenant de l'oxygène et de l'azote qui contiennent de l'azote et de l'oxygène, et des films minces (28b, 29b) composés de Cu pur ou d'un alliage de Cu. Une partie ou la totalité de l'azote constituant les couches contenant de l'azote ou une partie de la totalité de l'azote ou de l'oxygène constituant les couches contenant de l'oxygène et de l'azote est liée avec Si dans la couche semi-conductrice (33) du transistor en film mince. Les films minces (28b, 29b) composés de Cu pur ou d'un alliage de Cu sont connectés à la couche semi-conductrice (33) du transistor en film mince par l'intermédiaire des couches contenant de l'azote ou contenant de l'azote et de l'oxygène (28a, 29a).
(JA) 本発明によれば、薄膜トランジスタの半導体層33と、ソース-ドレイン電極28,29とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース-ドレイン電極28,29は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層28a、29aと、純Cu又はCu合金の薄膜28b、29bとからなっている。窒素含有層を構成する窒素の一部若しくは全部、または、酸素窒素含有層を構成する窒素または酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層33のSiと結合している。また、純CuまたはCu合金の薄膜28b、29bは、窒素含有層または酸素窒素含有層28a、29aを介して薄膜トランジスタの半導体層33と接続している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)