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1. (WO2008047585) Unité de connexion d'un circuit externe à un dispositif semi-conducteur, et procédé de fabrication associé
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/047585    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/069114
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 30.09.2007
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01)
Déposants : BONKOHARA, Manabu [JP/JP]; (JP)
Inventeurs : BONKOHARA, Manabu; (JP)
Mandataire : IZUMI, Katsufumi; 2nd Floor, Suganuma Bldg. 20-6, Toranomonn 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-271014 02.10.2006 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE EXTERNAL CIRCUIT CONNECTION UNIT STRUCTURE AND ITS FORMATION METHOD
(FR) Unité de connexion d'un circuit externe à un dispositif semi-conducteur, et procédé de fabrication associé
(JA) 半導体装置の外部回路接続部の構造及びその形成方法
Abrégé : front page image
(EN)It is possible to provide a semiconductor device external circuit connection unit structure and its formation method capable of obtaining a desired thermal shock resistance and a mechanical shock resistance and reducing the thickness (height) with a simple configuration. A wiring film (20) is formed via an insulating film (first insulating film) (51) on the main surface of the semiconductor chip and a solder resist film (second insulating film) (10) is formed on the main surface so as to cover the wiring film (20). A conductive pad (30) is formed on the solder resist film (10) at the position superimposed on the wiring film (20). The conductive pad (30) includes a pad body (30b) arranged on the solder resist film (10) and a plurality of through portions (30a) having first ends connected to the pad body (30) and second ends penetrating through the solder resistor film (10) and in contact with the wiring film (20). The pad body (30b) has a lower thermal conductivity than the through portions (30a) and electrically and mechanically connected to the wiring film (20) via the plurality of through portions (30b).
(FR)L'invention concerne une unité de connexion d'un circuit externe à un dispositif semi-conducteur et un procédé de fabrication de celle-ci, permettant d'obtenir une résistance souhaitée aux chocs thermiques et aux chocs mécaniques et de réduire l'épaisseur (hauteur) avec une configuration simple. Un film de câblage (20) est formé par l'intermédiaire d'un film isolant (premier film isolant) (51) sur la surface principale de la puce de semi-conducteur, et un film de réserve de soudure (deuxième film isolant) (10) est formé sur la surface principale de manière à recouvrir le film de câblage (20). Un plot de connexion (30) est formé sur le film de réserve de soudure (10) de façon à se superposer au film de câblage (20). Le plot de connexion (30) comprend un corps de plot (30b) disposé sur le film de réserve de soudure (10) et une pluralité de parties traversantes (30a) dont les premières extrémités sont reliées au corps de plot (30b) et les deuxièmes extrémités traversent le film de réserve de soudure (10) et viennent en contact avec le film de câblage (20). Le corps de plot (30b) possède une conductivité thermique inférieure à celle des parties traversantes (30a) et est électriquement et mécaniquement relié au film de câblage (20) par la pluralité de parties traversantes (30a).
(JA) 簡単な構成で所望の熱ショック耐性及び機械的ショック耐性が得られると共に、厚さ(高さ)を低減することができる、半導体装置の外部回路接続部の構造とその形成方法を提供する。半導体チップの主面に絶縁膜51(第1絶縁膜)を介して配線膜20を形成し、配線膜20を覆うように前記主面上にソルダーレジスト膜10(第2絶縁膜)を形成する。配線膜20と重なる位置において、ソルダーレジスト膜10上に導電性パッド30を形成する。導電性パッド30は、ソルダーレジスト膜10上に配置されたパッド本体30bと、パッド本体30に一端が接続され且つ他端がソルダーレジスト膜10を貫通して配線膜20に接触せしめられた複数の貫通部30aとを有する。パッド本体30bは、貫通部30aよりも熱伝導性が低く、複数の貫通部30bを介して配線膜20に電気的・機械的に接続される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)