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1. (WO2008047572) MATÉRIAU À BASE D'OXYDE, SUBSTRAT À MOTIFS, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MATRICE DE TRANSFERT POUR IMPRESSION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUPPORT D'ENREGISTREMENT, MATRICE DE TRANSFERT POUR IMPRESSION ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/047572    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/068965
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 28.09.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    26.05.2008    
CIB :
B01J 19/08 (2006.01), B29C 33/38 (2006.01), G03F 7/11 (2006.01), G11B 5/84 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : PIONEER CORPORATION [JP/JP]; 4-1, Meguro 1-chome, Meguro-ku, Tokyo 1538654 (JP) (Tous Sauf US).
FUJIMURA, Megumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HOSODA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : FUJIMURA, Megumi; (JP).
HOSODA, Yasuo; (JP)
Mandataire : EGAMI, Tatsuo; c/o TOKYO CENTRAL PATENT FIRM, 3rd Floor, Oak Building Kyobashi, 16-10, Kyobashi 1-chome, Chuou-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-264396 28.09.2006 JP
Titre (EN) OXIDE MATERIAL, PATTERNING SUBSTRATE, PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR PRODUCING TRANSFER TEMPLATE FOR IMPRINT, METHOD FOR PRODUCING RECORDING MEDIUM, TRANSFER TEMPLATE FOR IMPRINT, AND RECORDING MEDIUM
(FR) MATÉRIAU À BASE D'OXYDE, SUBSTRAT À MOTIFS, PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE MATRICE DE TRANSFERT POUR IMPRESSION, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUPPORT D'ENREGISTREMENT, MATRICE DE TRANSFERT POUR IMPRESSION ET SUPPORT D'ENREGISTREMENT
(JA) 酸化物材料、パターニング基板、パターン形成方法、インプリント用転写型の作製方法、記録媒体の作製方法、インプリント用転写型及び記録媒体
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an oxide material (102) which is used as a mask for patterning by etching which is performed on a material (101) that forms a substrate or a layer arranged on a substrate. The oxide material is also used in a multi-step etching which is performed by using a resist (103) formed on the oxide material as a mask. The etching rate of the oxide material for a reaction gas containing an inert gas or hydrogen is higher than the etching rate of the resist for the reaction gas containing an inert gas or hydrogen, while the etching rate of the oxide material for a fluorine-containing gas is lower than the etching rate of the material, which is to be patterned by using the oxide material as a mask, for the fluorine-containing gas. In addition, the oxide material is soluble in a weak acid.
(FR)L'invention concerne un matériau à base d'oxyde (102) qui est utilisé comme masque pour la formation de motifs par une gravure effectuée sur un matériau (101) qui forme un substrat ou une couche disposée sur un substrat. Le matériau à base d'oxyde est également utilisé dans une gravure multi-étapes qui est effectuée à l'aide d'un résist (103) formé sur le matériau d'oxyde comme masque. La vitesse de gravure du matériau à base d'oxyde pour un gaz de réaction contenant un gaz inerte ou de l'hydrogène est supérieure à la vitesse de gravure du résist pour le gaz de réaction contenant un gaz inerte ou de l'hydrogène, tandis que la vitesse de gravure du matériau à base d'oxyde pour un gaz contenant du fluor est inférieure à la vitesse de gravure du matériau, sur lequel doivent être formés des motifs à l'aide du matériau à base d'oxyde comme masque, pour le gaz contenant du fluor. De plus, le matériau à base d'oxyde est soluble dans un acide faible.
(JA) 酸化物材料(102)は、基板である、または基板上に積層されている材料(101)に対してエッチングでパターニングを行うためのマスキングとして用いられる酸化物材料であり、且つ該酸化物材料の上にマスキングとして用いられるレジスト(103)を形成して行われる多段階エッチング処理に用いられる酸化物材料であって、不活性ガスまたは水素を含む反応性ガスに対する当該酸化物材料のエッチングレートが、前記不活性ガスまたは水素を含む反応性ガスに対する前記レジストのエッチングレートよりも大きく、フッ素系ガスに対する当該酸化物材料のエッチングレートが、前記フッ素系ガスに対する当該酸化物材料を前記マスキングとして用いてパターニングを行う材料のエッチングレートよりも小さく、当該酸化物材料は弱酸に溶解する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)