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1. (WO2008046305) AGENT DE NETTOYAGE POUR PHOTORESIST FAIBLEMENT GRAVÉE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/046305    N° de la demande internationale :    PCT/CN2007/002935
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 12.10.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.08.2008    
CIB :
G03F 7/42 (2006.01)
Déposants : ANJI, MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; Suite 613-618 Building #5 No.300O Longdon Ave Zhangjiang Hi-Tech park Pudong, Shanghai 201203, China (CN) (Tous Sauf US).
PENG, Libbert, Hongxiu [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
SHI, Robert, Yongtao [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
LIU Bing [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : PENG, Libbert, Hongxiu; (CN).
SHI, Robert, Yongtao; (CN).
LIU Bing; (CN)
Mandataire : HANHONG LAW FIRM; Room 1505 New Huang Pu Financial Building No. 61 East Nanjing Road Shanghai 200002 (CN)
Données relatives à la priorité :
200610117138.5 13.10.2006 CN
Titre (EN) A LOW ETCHED PHOTORESIST CLEANING AGENT AND CLEANING METHOD OF USING SAME
(FR) AGENT DE NETTOYAGE POUR PHOTORESIST FAIBLEMENT GRAVÉE ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE CORRESPONDANT
(ZH) 一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
Abrégé : front page image
(EN)A low etched photoresist cleaning agent and cleaning method of using same are provided. The low etched photoresist cleaning agent comprises dimethyl sulphoxide, quaternary ammonium hydroxide, alkyldiol aryl ether which has general formula of R1O-[-(-CHmH2m-)-O-]n-R2 or its derivate, wherein R1 is aryl, R2 is H or aryl, m=2-6, n=1-6. The cleaning agent can be used for removing photoresist and other residue on the metal, metal alloy or dielectric substrate. At the same time, the cleaning agent has lower etched rate for the silicon dioxide, metal such as copper and low κ material and the like.
(FR)Agent de nettoyage pour photoresist faiblement gravée et procédé de nettoyage correspondant. Ledit agent de nettoyage comprend un diméthyl sulfoxyde un hydroxyde d'ammonium quaternaire, un alkyldiol aryl éther représenté par la formule générale R1O-[-(-CHmH2m-)-O-]n-R2, ou un dérivé de ce composé, dans laquelle R1 est aryle, R2 est H ou aryle, m vaut de 2 à 6, et n vaut de 1 à 6. L'agent de nettoyage peut s'utiliser pour éliminer la photorésist et autres résidus présents sur le métal, l'alliage métallique ou le substrat diélectrique. Cet agent de nettoyage présente un taux de gravure plus faible pour le dioxyde de silicium, un métal tel que le cuivre et un matériau à faible constante k et analogue.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)