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1. (WO2008046304) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE POST-GRAVURE/CALCINATION D'UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/046304    N° de la demande internationale :    PCT/CN2007/002934
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 12.10.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    13.08.2008    
CIB :
H01L 21/302 (2006.01)
Déposants : ANJI MICROELECTRONICS (SHANGHAI) CO., LTD. [CN/CN]; Suite 613-618, Building#5, No.300O Longdong Ave Zhangjiang Hi-Tech park Pudong, Shanghai 201203, China (CN) (Tous Sauf US).
PENG, Libbert, Hongxiu [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Andrew, Shengli [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
YANG, Andy, Chunxiao [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : PENG, Libbert, Hongxiu; (CN).
WANG, Andrew, Shengli; (CN).
YANG, Andy, Chunxiao; (CN)
Mandataire : HANHONG LAW FIRM; Room 1505 New Huang Pu Financial Building No. 61 East Nanjing Road Shanghai 200002 (CN)
Données relatives à la priorité :
200610117137.0 13.10.2006 CN
Titre (EN) A CLEANING METHOD FOR USE IN POST ETCH AND ASHING A SEMICONDUCTOR WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE NETTOYAGE POST-GRAVURE/CALCINATION D'UNE TRANCHE DE SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法
Abrégé : front page image
(EN)A cleaning method for use in post etch and ashing a semiconductor wafer is provided. The method comprises the following steps: after treating the wafer with photoresist cleaning solution, clean the wafer with a metal protective liquid containing water-solubility metal corrosion inhibitor, and dry it. The water-solubility metal corrosion inhibitor may be a polycarboxylate metal corrosion inhibitor. By employing the metal protective liquid, the method prevents metal corrosion from halogen ions, oxygen ions, bromine ions, OH- ions, H ions etc. generated from the plasma etch process and the atmosphere.
(FR)Procédé de nettoyage suivant les opérations de gravure et de calcination d'une tranche de semi-conducteur. Ce procédé consiste, après traitement de la tranche au moyen d'une solution de nettoyage pour photoresist, à nettoyer de la tranche à l'aide d'un liquide protecteur de métaux contenant un inhibiteur de corrosion pour métaux hydrosoluble, et à sécher la tranche. L'inhibiteur de corrosion pour métaux hydrosoluble peut être du type à polycarboxylate. L'emploi d'un liquide protecteur pour métaux permet de protéger les métaux contre la corrosion due à des ions halogène, à des ions oxygène, à des ions brome, à des ions OH-, des ions H, etc. produits par le processus de gravure au plasma et par l'atmosphère ambiante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)