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1. (WO2008046201) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCESSUS DE RÉALISATION DE CONNEXIONS OHMIQUES SUR UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/046201    N° de la demande internationale :    PCT/CA2007/001816
Date de publication : 24.04.2008 Date de dépôt international : 11.10.2007
CIB :
H01L 23/52 (2006.01), H01L 23/522 (2006.01), H01L 23/528 (2006.01), H01L 23/532 (2006.01), H01L 29/02 (2006.01)
Déposants : DAY4 ENERGY INC. [CA/CA]; #101-5898 Trapp Avenue, Burnaby, British Columbia V3N 5G4 (CA) (Tous Sauf US).
RUBIN, Leonid, B. [CA/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : RUBIN, Leonid, B.; (CA)
Mandataire : KNOX, John, W.; Smart & Biggar, Box 11560, Vancouver Centre, Suite 2200, 650 West Georgia Street, Vancouver, British Columbia V6B 4N8 (CA)
Données relatives à la priorité :
11/581,769 16.10.2006 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND PROCESS FOR FORMING OHMIC CONNECTIONS TO A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE ET PROCESSUS DE RÉALISATION DE CONNEXIONS OHMIQUES SUR UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor apparatus is disclosed. The apparatus includes a first doped volume of semiconductor material, the first doped volume having a front surface and first and second adjacent regions. The first region has a first concentration of dopant and a first exposed area on the front surface. The second region has a second concentration of dopant and a second exposed area on the front surface, the second concentration being higher than the first concentration. The apparatus also includes a first external conductor and an alloy bonding the first external conductor to the second exposed area to ohmically connect the conductor to the second region.
(FR)La présente invention concerne un appareil semi-conducteur. L'appareil comprend un premier volume dopé de matériau semi-conducteur, le premier volume dopé comportant une surface avant et des première et seconde zones adjacentes. La première zone comporte une première concentration de dopant et une première aire exposée sur la surface avant. La seconde zone comporte une seconde concentration de dopant et une seconde aire exposée sur la surface avant, la seconde concentration étant supérieure à la première concentration. L'appareil comprend aussi un premier conducteur externe et un alliage reliant le premier conducteur externe à la seconde aire exposée pour connecter ohmiquement le conducteur à la seconde zone.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)