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1. (WO2008045805) VALEURS VARIABLES D'INCRÉMENT DE TENSION DE PROGRAMME DANS DES OPÉRATIONS DE PROGRAMME DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/045805    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/080617
Date de publication : 17.04.2008 Date de dépôt international : 05.10.2007
CIB :
G11C 11/56 (2006.01), G11C 16/12 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01)
Déposants : SANDISK CORPORATION [US/US]; 601 Mccarthy Boulevard, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
LI, Yan [US/US]; (US) (US Seulement).
ZHANG, Fanglin [CN/CN]; (US) (US Seulement).
MIWA, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MOOGAT, Farookh [IN/IN]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LI, Yan; (US).
ZHANG, Fanglin; (US).
MIWA, Toru; (JP).
MOOGAT, Farookh; (US)
Mandataire : MAGEN, Burt; Vierra Magen Marcus & Deniro, Llp, 575 Market Street, Suite 2500, San Francisco, CA 94105 (US)
Données relatives à la priorité :
11/548,264 10.10.2006 US
11/548,267 10.10.2006 US
Titre (EN) VARIABLE PROGRAM VOLTAGE INCREMENT VALUES IN NON-VOLATILE MEMORY PROGRAM OPERATIONS
(FR) VALEURS VARIABLES D'INCRÉMENT DE TENSION DE PROGRAMME DANS DES OPÉRATIONS DE PROGRAMME DE MÉMOIRE NON VOLATILE
Abrégé : front page image
(EN)The lowest programmed state in multi-state non-volatile flash memory devices can suffer from an increased level of bit line to bit line capacitive charge coupling when compared with other states. Program voltages applied to memory cells as increasing voltage pulses can be incremented using smaller values when programming memory cells to the lowest programmable state. Smaller increments in the applied voltage allow for greater precision and a narrower threshold voltage distribution to compensate for the disproportionate charge coupling experienced by cells programmed to this state. Smaller increment values can be used when switching from lower page to upper page programming in some implementations. In a pipelined programming architecture where cells forming a physical page store two logical pages of data and programming for one logical page begins before receiving data for the other logical page, the increment value can be increased when switching from programming the first logical page to programming both pages concurrently.
(FR)L'invention concerne le plus bas état programmé dans des dispositifs de mémoire flash non-volatile à plusieurs états, qui peut souffrir d'une augmentation de niveau de couplage de charge capacitive de ligne binaire à ligne binaire par comparaison avec d'autres états. Des tensions de programme appliquées aux cellules de mémoire comme impulsions de tension croissante peuvent être incrémentées en utilisant des valeurs de programmation inférieures lors de la programmation des cellules de mémoire au plus bas état programmable. Des incréments inférieurs dans la tension appliquée permettent une plus grande précision et une distribution de tension de seuil plus étroite pour compenser le couplage de charge disproportionné éprouvé par des cellules programmées à cet état. De plus petites valeurs d'incrément peuvent être utilisées lors d'un changement de la page inférieure à la page supérieure dans une programmation dans certaines mises en œuvre. Dans une architecture de programmation canalisée où des cellules formant une page physique stockent deux pages de données logiques et que la programmation d'une page logique commence avant la réception de données pour l'autre page logique, la valeur d'incrément peut être augmentée en changeant de la programmation d'une page à celle des deux pages à la fois.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)