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1. (WO2008045114) PROCÉDÉS DE FABRICATION D'ENSEMBLES DE NANOSTRUCTURES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/045114    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/049163
Date de publication : 17.04.2008 Date de dépôt international : 22.12.2006
CIB :
C23C 14/04 (2006.01), C23C 14/22 (2006.01)
Déposants : LOCK HAVEN UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA OF THE STATE SYSTEM OF HIGHER EDUCATION [US/US]; 401 North Fairview Street, Lock Haven, PA 17745 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : JIA, Dongdong, X.; (US).
GOONEWARDENE, Anura; (US)
Mandataire : QUINN, Charles, N.; Fox Rothschild Llp, 2000 Market Street, 10th Floor, Philadelphia, PA 19103 (US)
Données relatives à la priorité :
60/753,807 23.12.2005 US
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING NANOSTRUCTURES
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION D'ENSEMBLES DE NANOSTRUCTURES
Abrégé : front page image
(EN)Nanorings and methods for fabrication thereof, preferably of gold and tungsten, involve deposition on silicon wafer and/or glass substrates using random incidence sputtering deposition and thermal vapor deposition techniques to produce two dimensional tungsten nanotriangle and gold nanoring arrays on the silicon wafer substrates with the size of resulting equilateral tungsten nanotriangles being about 100 nm per side and being spaced about 210 nm from each other, and with the gold nanorings being about 220 nm in diameter, 40 nm wide, 10 nm thick and being spaced about 560 nm from each other.
(FR)Des nano-anneaux et des procédés de fabrication de ceux-ci, de préférence en or et tungstène, implique mettent en jeu la déposition sur une tranche de silicium et/ou des substrats de verre à l'aide de techniques de déposition par pulvérisation cathodique à incidence aléatoire et de déposition en phase vapeur par procédé thermique pour produire des ensembles bidimensionnels de nanotriangles en tungstène et de nano-anneaux en or sur les substrats de tranche de silicium, les nanotriangles équilatéraux de tungstène résultants ayant une dimension d'environ 100 nm de côté et étant espacés de 210 nm les uns des autres, et les nano-anneaux en or ayant un diamètre d'environ 220 nm, une largeur de 40 nm, une épaisseur de 10 nm et étant espacés d'environ 560 nm les uns des autres.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)