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1. (WO2008044828) TRANSISTOR LOGIQUE À UN ÉLECTRON AYANT DES GRILLES DUALES FONCTIONNANT À TEMPÉRATURE AMBIANTE ET PROCÉDÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/044828    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/004384
Date de publication : 17.04.2008 Date de dépôt international : 11.09.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    04.07.2008    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : CHUNGBUK NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION [KR/KR]; 12, Gaesin-dong, Heungdeok-gu, Cheongju-si, Chungcheongbuk-do 361-804 (KR) (Tous Sauf US).
CHOI, Jung Bum [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
KIM, Sang Jin [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
CHOI, Seong Jin [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
LEE, Chang Keun [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : CHOI, Jung Bum; (KR).
KIM, Sang Jin; (KR).
CHOI, Seong Jin; (KR).
LEE, Chang Keun; (KR)
Mandataire : KIM, Moon Jong; 2F, Shinwon Bldg., 648-15 Yeoksam-Dong, Gangnam-Gu, Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0098330 10.10.2006 KR
Titre (EN) SINGLE-ELECTRON LOGIC TRANSISTOR WITH DUAL GATES OPERATING AT ROOM TEMPERATURE AND THE METHOD THEREOF
(FR) TRANSISTOR LOGIQUE À UN ÉLECTRON AYANT DES GRILLES DUALES FONCTIONNANT À TEMPÉRATURE AMBIANTE ET PROCÉDÉ
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method of manufacturing a dual-gate single-electron logic device operating at room temperature, which defines a nano-wire region using a negative photo or electron-beam resist pattern and a positive photo or electron-beam resist pattern and forms dual -gates capable of controlling the potential of a quantum dot on the left and right sides of the nano-wire region through selective etching according to a height difference between the nano-wire region and a region having no nano line and a height difference between the negative photo or electron-beam resist pattern and a region having no negative photo or electron-beam resist pattern.
(FR)La présente invention concerne un procédé destiné à la fabrication d'un dispositif logique à un électron ayant des grilles duales fonctionnant à température ambiante qui forme une zone à nanofils au moyen d'un modèle de photorésist négatif ou de résist négatif pour faisceau d'électrons et d'un modèle de photorésist positif ou de résist positif pour faisceau d'électrons et qui forme des grilles duales capables de commander le potentiel d'un point quantique sur les côtés gauche et droit de la zone à nanofils par gravure sélective en fonction d'une différence de hauteur entre la zone à nanofils et une zone ne possédant pas de nanoligne et d'une différence de hauteur entre le modèle de photorésist négatif ou de résist négatif pour faisceau d'électrons et une zone ne possédant pas de modèle de photorésist négatif ou de résist négatif pour faisceau d'électrons.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)