WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2008044769) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR, SYSTÈME D'ÉCLAIRAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/044769    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/069968
Date de publication : 17.04.2008 Date de dépôt international : 12.10.2007
CIB :
H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/36 (2010.01)
Déposants : SANYO ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 5-5, Keihan Hondori 2-chome, Moriguchi-shi, Osaka 5708677 (JP) (Tous Sauf US).
TAKEUCHI, Kunio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUNOH, Yasumitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKEUCHI, Kunio; (JP).
KUNOH, Yasumitsu; (JP)
Mandataire : MIYAZONO, Hirokazu; Shin-Osaka MT Building I 13-9, Nishinakajima 5-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-280409 13.10.2006 JP
2007-266058 12.10.2007 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHTING SYSTEM AND PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR, SYSTÈME D'ÉCLAIRAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光素子、照明装置および半導体発光素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor light emitting device of high reliability can be obtained while inhibiting detachment between supporting substrate and semiconductor device layer. The semiconductor light emitting device comprises supporting substrate (1); first junction layer (2a) superimposed on the supporting substrate (1); second junction layer (2b) superimposed on the first junction layer (2a); third junction layer (2c) superimposed on the second junction layer (2b); and semiconductor device layer (3) superimposed on the third junction layer (2c). The melting point of the second junction layer (2b) is lower than those of the first junction layer (2a) and third junction layer (2c).
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent à semi-conducteur de haute fiabilité qui peut être obtenu tout en empêchant la séparation entre un substrat de support et une couche de dispositif à semi-conducteur. Le dispositif électroluminescent à semi-conducteur comprend un substrat de support (1) ; une première couche de jonction (2a) superposée sur le substrat de support (1) ; une deuxième couche de jonction (2b) superposée sur la première couche de jonction (2a) ; une troisième couche de jonction (2c) superposée sur la deuxième couche de jonction (2b) ; et une couche de dispositif à semi-conducteur (3) superposée sur la troisième couche de jonction (2c). Le point de fusion de la deuxième couche de jonction (2b) est inférieur à ceux des première couche de jonction (2a) et troisième couche de jonction (2c).
(JA) 支持基板と半導体素子層との剥離が生じるのを抑制しながら、信頼性の高い半導体発光素子が得られる。この半導体発光素子は、支持基板(1)と、支持基板(1)上に形成された第1接合層(2a)と、第1接合層(2a)上に形成された第2接合層(2b)と、第2接合層(2b)上に形成された第3接合層(2c)と、第3接合層(2c)上に形成された半導体素子層(3)とを備えている。また、第2接合層(2b)の融点は、第1接合層(2a)および第3接合層(2c)の融点よりも低い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)