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1. (WO2008044577) procédé et appareil de formation de film
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/044577    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/069389
Date de publication : 17.04.2008 Date de dépôt international : 03.10.2007
CIB :
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : ULVAC, Inc. [JP/JP]; 2500, Hagisono, Chigasaki-shi Kanagawa 2538543 (JP) (Tous Sauf US).
JINZU, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Seiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MIZUNO, Eiichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : JINZU, Akira; (JP).
TAKAHASHI, Seiichi; (JP).
MIZUNO, Eiichi; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 1048453 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-272962 04.10.2006 JP
Titre (EN) FILM FORMING METHOD AND FILM FORMING APPARATUS
(FR) procédé et appareil de formation de film
(JA) 膜形成方法および膜形成装置
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a film forming apparatus which can remove a natural oxide film on a silicon substrate (W) at an extremely low temperature compared with the conventional apparatuses. The natural oxide film is removed at a low temperature by converting the natural oxide film on the silicon substrate (W) into a volatile substance and evaporating the substance. The natural oxide film can be converted into the volatile material, i.e., ammonium fluorosilicate, by having the natural oxide film react with ammonium fluoride. A single crystal SiGe film can be grown on the silicon substrate (W) from which the natural oxide film is removed. The apparatus is provided with a substrate transfer chamber for transferring an etching chamber, a SiGe growing chamber and the silicon substrate under controlled atmosphere.
(FR)La présente invention concerne un appareil de formation de film pouvant retirer un film d'oxyde naturel présent sur un substrat de silicium (W) à une température extrêmement basse par rapport aux appareils classiques. Le film d'oxyde naturel est retiré à basse température par la conversion dudit fil présent sur ledit substrat (W) en une substance volatile et l'évaporation de celle-ci. Ledit film peut être converti en ladite substance volatile, c'est-à-dire du fluorosilicate d'ammonium, en faisant réagir ledit film avec du fluorure d'ammonium. Un film monocristallin en SiGe peut être mis à croître sur ledit substrat (W) à partir duquel on retire ledit film. L'appareil est équipé d'une chambre de transfert de substrat pour transférer une chambre de gravure, une chambre de croissance de SiGe et le substrat de silicium sous une atmosphère contrôlée.
(JA)シリコン基板Wの自然酸化膜を従来と比べて、極めて低温で除去することが可能な膜形成装置を提供する。シリコン基板W上の自然酸化膜を揮発性物質に変換し、蒸発させることで自然酸化膜の低温除去を実現した。自然酸化膜はフッ化アンモニウムと反応させることで、揮発性物質ケイフッ化アンモニウムに変換できる。自然酸化膜を除去したシリコン基板Wには単結晶のSiGe膜を成長させることが可能である。この装置は、エッチング室とSiGe成長室とシリコン基板を管理雰囲気下で移送する基板移送室を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)