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1. (WO2008044473) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM TRANSPARENT ÉLECTROCONDUCTEUR ET SUBSTRAT DE FILM TRANSPARENT ÉLECTROCONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/044473    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/068788
Date de publication : 17.04.2008 Date de dépôt international : 27.09.2007
CIB :
H01B 13/00 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01), C23C 16/50 (2006.01), G02F 1/1343 (2006.01), H01B 5/14 (2006.01)
Déposants : Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
KONDO, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KONDO, Yoshikazu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-278554 12.10.2006 JP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM AND TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM TRANSPARENT ÉLECTROCONDUCTEUR ET SUBSTRAT DE FILM TRANSPARENT ÉLECTROCONDUCTEUR
(JA) 透明導電膜の成膜方法及び透明導電膜基板
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming a transparent conductive film mainly composed of titanium oxide which exhibits excellent transparency and conductivity without being restricted by a substrate. A transparent conductive film substrate is also provided. The method for forming a transparent conductive film mainly composed of titanium oxide on a substrate by plasma CVD is characterized in that a reactive gas containing at least a titanium compound, a dopant material, and a reducing gas is introduced into a discharge space and brought into a plasma state and a thin film mainly composed of titanium oxide is formed on the substrate by exposing the substrate to the reactive gas in a plasma state.
(FR)La présente invention concerne un procédé de formation d'un film transparent électroconducteur essentiellement fait d'oxyde de titane présentant d'excellentes qualités de transparence et d'électroconductivité sans être limité par un substrat. L'invention concerne également un substrat de film transparent électroconducteur. Le procédé de formation de ce film transparent électroconducteur principalement fait d'oxyde de titane sur un substrat par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) se caractérise en ce qu'un gaz réactif contenant au moins un composé de titane, un matériau dopant, et un gaz réducteur est introduit dans un espace de décharge et amené à l'état de plasma, à la suite de quoi un film mince principalement fait d'oxyde de titane se forme sur le substrat par exposition du film au gaz réactif à l'état de plasma.
(JA) 本発明は、基材の制約を受けることが無く、透明性及び導電性に優れた酸化チタンを主成分とするの透明導電膜の成膜方法及び透明導電膜基板を提供する。この透明導電膜の成膜方法は、基材上に、プラズマCVD処理で酸化チタンを主成分とする透明導電膜を成膜する透明導電膜の形成方法であって、該プラズマCVD処理が、少なくともチタン化合物、ドーパント原料及び還元性ガスを含む反応性ガスを放電空間に導入してプラズマ状態とし、該基材をプラズマ状態の該反応性ガスに晒すことにより、該基材上に酸化チタンを主成分とする薄膜を成膜することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)