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1. (WO2008044381) CAPTEUR DE VIBRATIONS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/044381    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/064368
Date de publication : 17.04.2008 Date de dépôt international : 20.07.2007
CIB :
H01L 29/84 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H04R 19/04 (2006.01), H04R 31/00 (2006.01)
Déposants : OMRON CORPORATION [JP/JP]; 801, Minamifudodo-cho, Horikawahigashiiru, Shiokoji-dori, Shimogyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6008530 (JP) (Tous Sauf US).
KASAI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HORIMOTO, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATO, Fumihito [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MUNECHIKA, Masaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WAKABAYASHI, Shuichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TAKAHASHI, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
INUGA, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KASAI, Takashi; (JP).
HORIMOTO, Yasuhiro; (JP).
KATO, Fumihito; (JP).
MUNECHIKA, Masaki; (JP).
WAKABAYASHI, Shuichi; (JP).
TAKAHASHI, Toshiyuki; (JP).
INUGA, Masayuki; (JP)
Mandataire : NAKANO, Masayoshi; Ogura Temmabashi Building, 3-5, Tanimachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400012 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-280648 13.10.2006 JP
Titre (EN) VIBRATION SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE VIBRATION SENSOR
(FR) CAPTEUR DE VIBRATIONS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 振動センサ及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A protective film (20) of an SiO2 thin film is formed on a front surface of an Si substrate (12), and a part of the protective film (20) is removed to form an etching window (22). A sacrifice layer (23) of polycrystalline Si is formed in the etching window (22). A protective film (24) of SiO2 is formed on the front surface of the Si substrate (12) from the top of the sacrifice layer (23), and a thin film (13) as an element formed of polycrystalline Si is further formed on the protective film (24). A backside etching window (26) is opened in a protective film (21) on the back side of the Si substrate (12). The Si substrate (12) is soaked in TMAH to perform crystal anisotropic etching in the Si substrate (12) through the backside etching window (26) to provide a through-hole (14) in the Si substrate (12). When the sacrifice layer (23) is exposed to the interior of the through-hole (14), the sacrifice layer (23) is etching-removed to provide a gap (19) between the protective film (24) and the Si substrate (12) and crystal anisotropic etching of the Si substrate (12) is carried out from its front side and backside.
(FR)La présente invention concerne un film protecteur (20) d'une couche mince de SiO2 qui est formé sur la surface avant d'un substrat en Si (12), une partie du film protecteur (20) étant retirée et formant une fenêtre de gravure (22). Une couche sacrificielle (23) en Si polycristallin est formée dans ladite fenêtre (22). Un film protecteur (24) en SiO2 est formé sur la surface avant du substrat en Si (12) depuis le haut de la couche sacrificielle (23) et une couche mince (13) formant un élément fait en Si polycristallin est en outre formée sur le film protecteur (24). Une fenêtre de gravure de côté arrière (26) est pratiquée dans un film protecteur (21) sur le côté arrière du substrat en Si (12). Le substrat en Si (12) est trempé dans du TMAH pour réaliser une gravure anisotrope cristalline dans le substrat en Si (12) à travers la fenêtre de gravure de côté arrière (26) afin de donner un trou traversant (14) dans le substrat en Si (12). Lorsqu'elle est exposée à l'intérieur du trou traversant (14), la couche sacrificielle (23) est éliminée par gravure pour donner un interstice (19) entre le film protecteur (24) et le substrat en Si (12) et la gravure anisotrope cristalline du substrat en Si (12) est effectuée depuis son côté avant et son côté arrière.
(JA) Si基板12の表面にSiO薄膜からなる保護膜20を形成し、その一部を除去して開口したエッチング窓22に多結晶Siからなる犠牲層23を成膜する。犠牲層23の上からSi基板12表面にSiOからなる保護膜24を成膜し、その上から多結晶Siからなる素子薄膜13を成膜する。裏面の保護膜21に裏面エッチング窓26を開口する。TMAHにSi基板12を浸漬して裏面エッチング窓26からSi基板12を結晶異方性エッチングし、Si基板12に貫通孔14を設ける。犠牲層23が貫通孔14内に露出したら、犠牲層23がエッチング除去し、保護膜24とSi基板12の間に隙間19を生成し、Si基板12を表面側と裏面側から結晶異方性エッチングする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)