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1. (WO2008044326) composition de photorésine positive et négative du type à amplification chimique pour gravure à sec à basse température, et procédé pour la formation d'un motif en photorésine l'utilisant
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/044326    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/000974
Date de publication : 17.04.2008 Date de dépôt international : 07.09.2007
CIB :
G03F 7/039 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (Tous Sauf US).
MISUMI, Koichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITO, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MISUMI, Koichi; (JP).
SAITO, Koji; (JP)
Mandataire : OSUGA, Yoshiyuki; 3rd Fl., Nibancho Bldg., 8-20, Nibancho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020084 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-278798 12.10.2006 JP
2006-291368 26.10.2006 JP
Titre (EN) POSITIVE- OR NEGATIVE-WORKING CHEMICAL AMPLIFICATION-TYPE PHOTORESIST COMPOSITION FOR LOW-TEMPERATURE DRY ETCHING, AND METHOD FOR PHOTORESIST PATTERN FORMATION USING THE SAME
(FR) composition de photorésine positive et négative du type à amplification chimique pour gravure à sec à basse température, et procédé pour la formation d'un motif en photorésine l'utilisant
(JA) ポジ型又はネガ型の低温ドライエッチング用化学増幅型ホトレジスト組成物およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a chemical amplification-type positive- or negative-working photoresist composition for low-temperature dry etching, satisfying requirements (1) that any crack attributable to thermal shock does not occur even upon exposure to low temperatures of 0°C or below, (2) that a film having a large thickness of not less than 5 &mgr;m can be formed, (3) that high sensitivity can be realized, and (4) that easy separation with a conventional solvent is possible. The positive-working photoresist composition is characterized by comprising (A) a photoacid generating agent, (B) a resin component, and (C) an organic solvent. The negative-working photoresist composition comprises (A) a photoacid generating agent, (B') at least one resin component selected from novolak resins, polyhydroxystyrene resins, and acrylic resins, (D') at least one plasticizer selected from acrylic resins and polyvinyl resins, (F) a crosslinking agent, and (C) an organic solvent.
(FR)La présente invention concerne une composition de photorésine positive ou négative du type à amplification chimique pour gravure à sec, satisfaisant les exigences (1) selon lesquelles une quelconque fissure pouvant être attribuée à un choc thermique ne se produit pas même lors d'une exposition à de basses températures de 0 °C ou moins, (2) un film ayant une large épaisseur n'étant pas inférieure à 5 &mgr;m peut être formé, (3) une sensibilité élevée peut être obtenue et (4) une séparation aisée avec un solvant classique est possible. Ladite composition positive est caractérisée en ce qu'elle comprend (A) un agent générant un photoacide, (B) un composant à base de résine et (C) un solvant organique. Ladite composition négative comprend (A) un agent générant un photoacide, (B') au moins un composant à base de résine choisi parmi des résines novolak, des résines de polyhydroxystyrène et des résines acryliques, (D') au moins un plastifiant choisi parmi des résines acryliques et des résines polyvinyliques, (F) un agent de réticulation et (C) un solvant organique.
(JA) 本発明は、(1)0°C以下の低温下に曝露した場合にもサーマルショックに因るクラックを発生しないこと、(2)5μm以上の厚膜の形成が可能であること、(3)高感度であること、(4)一般的な溶剤で容易に剥離可能であること、という条件を満たす化学増幅型ポジ型又はネガ型ホトレジスト組成物。本発明は、(A)光酸発生剤、(B)樹脂成分、および(C)有機溶剤を含むことを特徴とする低温ドライエッチング用化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。また本発明は、(A)光酸発生剤、(B’)ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂、およびアクリル樹脂の中から選ばれる少なくとも一種の樹脂成分、(D’)アクリル樹脂およびポリビニル樹脂の中から選ばれる少なくとも一種の可塑剤、(F)架橋剤、および(C)有機溶剤を含む低温ドライエッチング用化学増幅型ネガ型ホトレジスト組成物も提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)