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1. (WO2008043876) PROCÉDÉ DESTINÉ À MESURER LA CONCENTRATION EN KOH ACTIF DANS UN PROCÉDÉ DE GRAVURE AU KOH
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/043876    N° de la demande internationale :    PCT/FI2006/050436
Date de publication : 17.04.2008 Date de dépôt international : 11.10.2006
CIB :
C23F 1/40 (2006.01), G01N 21/41 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : JANESKO OY [FI/FI]; Elannontie 5, FI-01510 Vantaa (FI) (Tous Sauf US).
VOIPIO, Ville [FI/FI]; (FI) (US Seulement)
Inventeurs : VOIPIO, Ville; (FI)
Mandataire : KOLSTER OY AB; Iso Roobertinkatu 23, p.o.box 148, FI-00121 Helsinki (FI)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MEASURING THE ACTIVE KOH CONCENTRATION IN A KOH ETCHING PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DESTINÉ À MESURER LA CONCENTRATION EN KOH ACTIF DANS UN PROCÉDÉ DE GRAVURE AU KOH
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for in-line measuring the active KOH concentration in a KOH etching process in which process silicon hydroxide is produced by a reduction reaction according to the formula: 2K+ (aq.) + 2OH- (aq.) + 2H2O + Si -> 2K+ (aq.) + H2SiO42- (aq.) + 2H2 (g). The total concentration of KOH bath is measured by using a refractometer and the measurement result is corrected by the estimated K2H2SiO4 concentration.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à mesurer en ligne la concentration en KOH actif dans un procédé de gravure au KOH dans lequel de l'hydroxyde de silicium est produit par une réaction de réduction selon la formule : 2K+ (aq.) + 2OH- (aq.) + 2H2O + Si -> 2K+ (aq.) + H2SiO42- (aq.) + 2H2 (g). La concentration totale du bain de KOH est mesurée à l'aide d'un réfractomètre, et le résultat de la mesure est corrigé à l'aide de la concentration en K2H2SiO4 estimée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)