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1. (WO2008043843) CIRCUIT CONTRÔLEUR DE PENTE DE GAIN ÉLECTRONIQUEMENT AJUSTABLE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/043843    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/060899
Date de publication : 17.04.2008 Date de dépôt international : 12.10.2007
CIB :
H03H 11/48 (2006.01), H03G 1/00 (2006.01), H03F 3/45 (2006.01)
Déposants : TELEFONAKTIEBOLAGET LM ERICSSON (PUBL) [SE/SE]; S-16483 Stockholm (SE) (Tous Sauf US).
SCHICK, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KRUPA, Ricahrd [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SCHICK, Michael; (DE).
KRUPA, Ricahrd; (DE)
Mandataire : STASIEWSKI, Piotr; Ericsson Ltd, Maplewood, Chineham Business Park, Basingstoke Hampshire RG24 8YB (GB)
Données relatives à la priorité :
0620169.3 12.10.2006 GB
Titre (EN) ELECTRONICALLY ADJUSTABLE GAIN SLOPE CONTROLLER CIRCUIT
(FR) CIRCUIT CONTRÔLEUR DE PENTE DE GAIN ÉLECTRONIQUEMENT AJUSTABLE
Abrégé : front page image
(EN)An adjustable complex impedance circuit for gain slope control comprising two pairs of transistors (T1 -T2 and T'1 - T'2), each pair having coupled their emitters, cross- coupled bases and cross-coupled collectors. A control voltage (Vx, Vslope) is connected to the bases of the two pairs of transistors (T1 -T2 and T'1 - T'2) and the operating contacts (A, A') of the circuit are connected to the collectors of the two pairs of transistors (T1 -T2 and T'1 - T'2) and further comprising two complex impedances (Z1, Z2), a first complex impedance (Z1) bridging the coupled emitters of a first pair of transistors (T1 -T2) with the operating contact (A) connected to said first pair of transistors (T1 -T2) and a second complex impedance (Z2) bridging the coupled emitters of a second pair of transistors (T'1 - T'2) with the operating contact (A') connected to said second pair of transistors (T'1 - T'2), wherein the two complex impedances (Z1, Z2) comprise only alternating current paths.
(FR)L'invention concerne un circuit d'impédance complexe ajustable permettant de contrôler la pente de gain, comprenant deux paires de transistors (T1 - T2 et T'1 - T'2), chaque paire ayant des émetteurs couplés, des bases à couplage transversal et des collecteurs à couplage transversal. Une tension de commande (Vx, Vslope) est connectée aux bases des deux paires des transistors (T1 - T2 et T'1 - T'2) et les contacts de travail (A, A') du circuit sont connectés aux collecteurs des deux paires de transistors (T1 - T2 et T'1 - T'2) comprenant en outre deux impédances complexes (Z1, Z2), une première impédance complexe (Z1) étant mise en parallèle avec les émetteurs couplés d'une première paire de transistors (T1 - T2), le contact de travail (A) étant connecté à ladite première paire de transistors (T1 -T2), et une seconde impédance complexe (Z2) étant mise en parallèle avec les émetteurs couplés d'une seconde paire de transistors (T'1 - T'2), le contact de travail (A') étant connecté à ladite seconde paire de transistors (T'1 - T'2), lesquelles deux impédances complexes (Z1, Z2) comprennent uniquement des chemins de courant alternatif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)