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1. (WO2008042691) SYSTÈME DE TRAITEMENT CONTENANT UNE SOURCE DE RADICAUX HYDROGÈNE À FILAMENT CHAUD UTILISÉ POUR UN TRAITEMENT DE SUBSTRAT INTÉGRÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/042691    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/079667
Date de publication : 10.04.2008 Date de dépôt international : 27.09.2007
CIB :
C23C 16/02 (2006.01), C23C 16/452 (2006.01), C23C 16/455 (2006.01), C23C 16/04 (2006.01), C23C 16/18 (2006.01), C23C 16/56 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 107 (JP) (Tous Sauf US).
TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard, Austin, TX 78741-6500 (US) (JP only).
MATSUDA, Tsukasa [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKURAGI, Isamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUDA, Tsukasa; (JP).
SAKURAGI, Isamu; (JP)
Mandataire : DAVIDSON, Kristi, L.; Wood, Herron & Evans, L.L.P., 441 Vine Street, 2400 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US)
Données relatives à la priorité :
11/537,562 29.09.2006 US
11/537,573 29.09.2006 US
Titre (EN) PROCESSING SYSTEM CONTAINING A HOT FILAMENT HYDROGEN RADICAL SOURCE FOR INTEGRATED SUBSTRATE PROCESSING
(FR) SYSTÈME DE TRAITEMENT CONTENANT UNE SOURCE DE RADICAUX HYDROGÈNE À FILAMENT CHAUD UTILISÉ POUR UN TRAITEMENT DE SUBSTRAT INTÉGRÉ
Abrégé : front page image
(EN)A processing system (1, 504B) and method for integrated substrate processing in a substrate processing tool (500). The processing system (1, 504B) contains a substrate holder (20) configured for supporting and controlling the temperature of the substrate (25), a hot filament hydrogen radical source (31 ) for generating hydrogen radicals, and a controller (70, 510) configured for controlling the processing system (1, 504B). The hot filament hydrogen radical source (31 ) includes a showerhead assembly (30) containing an internal volume (37) and a showerhead plate (35) having gas passages (33) facing the substrate (25) for exposing the substrate (25) to the hydrogen radicals, and at least one meta! wire filament (59, 59a, 59b, 59c) within the interna! volume (37) to thermaliy dissociate H2 gas into the hydrogen radicals. The integrated process includes pretreating exposed surfaces of an etch feature (105) in a dielectric film (113, 115, 624, 626) and an exposed metal interconnect pattern (111 A, 622A) formed underneath the etch feature (105) with a flow of hydrogen radicals generated by thermal decomposition of H2 gas by a hot filament hydrogen radical source (31 ) separated from the substrate (25) by a showerhead plate (35) containing gas passages (33) facing the substrate (25). The integrated process further includes depositing a barrier metal film (116, 628) over the pretreated exposed surfaces, and forming a Cu metal film (113) on the barrier metal film (116, 628).
(FR)La présente invention concerne un système de traitement (1, 504B) et un procédé de traitement de substrat intégré dans un outil de traitement de substrat (500). Ce système de traitement (1, 504B) contient un support à substrat (20) conçu pour soutenir le substrat (25) et commander sa température, une source de radicaux hydrogène à filament chaud (31) conçue pour produire des radicaux hydrogène, ainsi qu'un élément de commande (70, 510) conçu pour commander le système de traitement (1, 504B). La source de radicaux hydrogène à filament chaud (31) comprend un ensemble pomme de douche (30) qui comporte un volume interne (37) et une plaque de pomme de douche (35) présentant des passages (33) pour un gaz, lesquels passages font face au substrat (25) et permettent de soumettre le substrat (25) aux radicaux hydrogène, ainsi qu'au moins un filament en fil métallique (59, 59a, 59b, 59c) qui se trouve dans le volume interne (37) et est conçu pour dissocier thermiquement le H2 gazeux dans les radicaux hydrogène. Le procédé de traitement intégré consiste à prétraiter des surfaces apparentes d'un élément de gravure (105) dans un film diélectrique (113, 115, 624, 626) et un motif d'interconnexion métallique apparent (111A, 622A) formé sous l'élément de gravure (105) avec un flux de radicaux hydrogène produit par décomposition thermique du H2 gazeux par une source de radicaux hydrogène à filament chaud (31) séparée du substrat (25) par une plaque de pomme de douche (35) comportant des passages (33) pour un gaz qui font face au substrat (25). Le procédé de traitement intégré consiste ensuite à déposer un film métallique barrière (116, 628) sur les surfaces apparentes prétraitées, puis à placer un film métallique en Cu (113) sur le film métallique barrière (116, 628).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)