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1. (WO2008042566) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ DE CIRCUITS PRÉSENTANT UNE DENSITÉ DE MOTIFS SENSIBLEMENT UNIFORME
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/042566    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/078216
Date de publication : 10.04.2008 Date de dépôt international : 12.09.2007
CIB :
H01L 27/02 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/337 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Déposants : DSM SOLUTIONS, INC. [US/US]; 130-B Knowles Drive, Los Gatos, CA 95032 (US) (Tous Sauf US).
KAPOOR, Ashok, Kumar [US/US]; (US) (US Seulement).
CHOU, Richard, K. [US/US]; (US) (US Seulement).
THUMMALAPALLY, Damodar, R. [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KAPOOR, Ashok, Kumar; (US).
CHOU, Richard, K.; (US).
THUMMALAPALLY, Damodar, R.; (US)
Mandataire : BHAVSAR, Samir, A.; Baker Botts L.L.P., 2001 Ross Avenue, Suite 600, Dallas, TX 75201 (US)
Données relatives à la priorité :
11/540,830 28.09.2006 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH CIRCUITS FORMED WITH ESSENTIALLY UNIFORM PATTERN DENSITY
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ DE CIRCUITS PRÉSENTANT UNE DENSITÉ DE MOTIFS SENSIBLEMENT UNIFORME
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device includes a first circuit section (200A) having at least one transistor (Tl) coupled to at least three conductive lines (202, 204, 206) formed from a conductive layer. No more than one of the at least one of the three conductive lines (204) forms a control terminal of the at least one transistor. In addition, a second circuit section (200B) includes at least two transistors (T3 - T6). Each such transistor has a control terminal (234, 236, 238, 240) formed by a conductive line formed from the same conductive layer. The three conductive lines of the first circuit section have the same pitch pattern as the conductive lines of the second circuit section.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur pouvant comprendre une première unité circuit possédant au moins un transistor couplé à au moins trois lignes conductrices formées à partir d'une couche conductrice. L'une au maximum de ces lignes conductrices forme une borne de commande du ou des transistors. En outre, une seconde unité circuit comprend au moins deux transistors. Chaque transistor peut comprendre une borne de commande formée par une ligne conductrice formée à partir de la même couche conductrice. Les trois lignes conductrices de la première unité circuit peuvent présenter le même motif de pas que celui des lignes conductrice de la seconde unité circuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)