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1. (WO2008042306) PROCESSUS ET ENCAPSULATION POUR CIRCUITS INTÉGRÉS, DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ET CIRCUITS À HAUTE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/042306    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/021016
Date de publication : 10.04.2008 Date de dépôt international : 26.09.2007
CIB :
H01L 29/00 (2006.01)
Déposants : INNOVATE, LLC [US/US]; 3767 East Brockbank Drive, Salt Lake City, UT 84124 (US) (Tous Sauf US).
SADWICK, Laurence, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
MOJARRADI, Mohammad, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
HWU, Ruey-jen [US/US]; (US) (US Seulement).
CHERN, Jehn-huar [--/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SADWICK, Laurence, P.; (US).
MOJARRADI, Mohammad, M.; (US).
HWU, Ruey-jen; (US).
CHERN, Jehn-huar; (US)
Mandataire : OESTREICH, Paul, C.; Morriss O'bryant Compagni, P.C., 734 East 200 South, Salt Lake City, UT 84102 (US)
Données relatives à la priorité :
11/541,429 29.09.2006 US
Titre (EN) PROCESSES AND PACKAGING FOR HIGH VOLTAGE INTEGRATED CIRCUITS, ELECTRONIC DEVICES, AND CIRCUITS
(FR) PROCESSUS ET ENCAPSULATION POUR CIRCUITS INTÉGRÉS, DISPOSITIFS ÉLECTRONIQUES ET CIRCUITS À HAUTE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)The present invention includes processes and packaging for high voltage integrated circuits (ICs), high voltage electronic devices and high voltage electronic circuits which operate over a wide range of voltages, e.g., from tens of volts to tens of thousands of volts. The inventive processes and packaging are particularly suitable for integrating low or lower voltage circuits or transistors to form high voltage ICs, high voltage electronic devices and high voltage electronic circuits. The inventive processes and packaging are also particularly suitable for isolating high voltage electronics to achieve high breakdown voltages and for supporting high voltage operation. The inventive processes may be used with any suitable semiconductor materials using conventional semiconductor fabrication and related facilities.
(FR)La présente invention concerne des processus et l'encapsulation pour des circuits intégrés haute tension, des dispositifs électroniques haute tension et des circuits électroniques haute tension qui fonctionnent sur une large gamme de tensions allant par exemple de plusieurs dizaines de volts à plusieurs dizaines de milliers de volts. Les processus et l'encapsulation de cette invention conviennent particulièrement à l'intégration de circuits ou de transistors basse tension ou de tension inférieure pour former des circuits intégrés haute tension, des dispositifs électroniques haute tension et des circuits électroniques haute tension. Les processus et l'encapsulation de cette invention conviennent également particulièrement à l'isolation de composants électroniques haute tension pour obtenir des tensions de claquage élevées, ainsi qu'au maintien d'un fonctionnement à haute tension. Les processus de cette invention peuvent être utilisés avec n'importe quel matériau semi-conducteur approprié dans la fabrication traditionnelle de semi-conducteurs et dans des équipements associés.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)