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1. (WO2008042304) STRUCTURE D'INTERCONNEXION COMPRENANT DES TROUS D'INTERCONNEXION FORMÉS À TRAVERS UNE PLAQUETTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CETTE STRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/042304    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/021014
Date de publication : 10.04.2008 Date de dépôt international : 01.10.2007
CIB :
H01L 21/44 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
Déposants : INNOVATIVE MICRO TECHNOLOGY [US/US]; 75 Robin Hill Road, Goleta, CA 93117 (US) (Tous Sauf US).
FOSTER, John, S. [US/US]; (US).
HOVEY, Steven, H. [US/US]; (US).
RUBEL, Paul, J. [US/US]; (US).
RYBNICEK, Kimon [US/US]; (US)
Inventeurs : FOSTER, John, S.; (US).
HOVEY, Steven, H.; (US).
RUBEL, Paul, J.; (US).
RYBNICEK, Kimon; (US)
Mandataire : SPONG, Jaquelin, K.; 14412 Senedo Road, Mount Jackson, VA 22842 (US)
Données relatives à la priorité :
11/541,774 03.10.2006 US
Titre (EN) INTERCONNECT STRUCTURE USING THROUGH WAFER VIAS AND METHOD OF FABRICATION
(FR) STRUCTURE D'INTERCONNEXION COMPRENANT DES TROUS D'INTERCONNEXION FORMÉS À TRAVERS UNE PLAQUETTE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CETTE STRUCTURE
Abrégé : front page image
(EN)A device and a method are described which hermetically seals at least one microstructure within a cavity. Electrical access to the at least one microstructure is provided by through wafer vias formed through a via substrate which supports the at least one microstructure on its front side. The via substrate and a lid wafer may form a hermetic cavity which encloses the at least one microstructure. The through wafer vias are connected to bond pads located outside the cavity by an interconnect structure formed on the back side of the via substrate. Because they are outside the cavity, the bond pads may be placed inside the perimeter of the bond line forming the cavity, thereby greatly reducing the area occupied by the device. The through wafer vias also shorten the circuit length between the microstructure and the interconnect, thus improving heat transfer and signal loss in the device.
(FR)L'invention concerne un dispositif et un procédé pour l'encapsulation hermétique d'au moins une microstructure à l'intérieur d'une cavité. Le raccordement électrique avec au moins une structure est réalisé par des trous d'interconnexion formés à travers un substrat correspondant, sur la face avant duquel est montée au moins une microstructure. Le substrat à trous d'interconnexion et une plaquette couvercle peuvent former une cavité hermétique entourant la ou les microstructures. Les trous d'interconnexion traversants sont connectés à des plots de connexion situés à l'extérieur de la cavité, au moyen d'une structure d'interconnexion formée sur la face arrière du substrat à trous d'interconnexion. Du fait qu'ils se trouvent à l'extérieur de la cavité, les plots d'interconnexion peuvent être placés à l'intérieur du périmètre de la ligne de joint formant la cavité, ce qui entraîne une réduction importante de la surface occupée par le dispositif. Les trous d'interconnexion traversants réduisent en outre la longueur du circuit entre la microstructure et la structure d'interconnexion, améliorant ainsi le transfert thermique et réduisant la perte de signaux.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)