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1. (WO2008041551) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM D'OXYDE D'ÉTAIN CONDUCTEUR TRANSPARENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/041551    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/068553
Date de publication : 10.04.2008 Date de dépôt international : 25.09.2007
CIB :
H01B 13/00 (2006.01), C01G 19/02 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
TSUCHIYA, Tetsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAKAJIMA, Tomohiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAGAI, Toshiya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TSUCHIYA, Tetsuo; (JP).
NAKAJIMA, Tomohiko; (JP).
KUMAGAI, Toshiya; (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-270486 02.10.2006 JP
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING TRANSPARENT CONDUCTIVE TIN OXIDE FILM
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN FILM D'OXYDE D'ÉTAIN CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 酸化スズ透明導電膜の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for fabricating transparent conductive tin oxide film, which can be grown at a low temperature and shows an extremely high conductivity, comprises a step (1) of forming a thin film by coating and drying a precursor solution including fluorine and tin on a substrate, a step (2) of a first light irradiation for irradiating the thin film obtained in the step (1) with ultraviolet rays, a step (3) of heat-treating the thin film obtained in the step (2), and a step (4) of a second light irradiation for irradiating the thin film obtained in the step (3) with ultraviolet rays.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'un film d'oxyde d'étain conducteur transparent, qui peut être créé à une faible température et qui présente une conductivité extrêmement élevée, ledit procédé comprenant une étape (1) de formation d'un film mince par revêtement et séchage d'une solution de précurseur comportant du fluor et de l'étain sur un substrat, une étape (2) de première irradiation lumineuse afin d'exposer le film mince obtenu à l'étape (1) à des rayons ultraviolets, une étape (3) de traitement thermique du film mince obtenu à l'étape (2), et une étape (4) de seconde irradiation lumineuse afin d'exposer le film mince obtenu à l'étape (3) à des rayons ultraviolets.
(JA) 下記の工程を組み合わせることにより、低温成長が可能であり、かつ極めて高い導電性を示す酸化スズ透明導電膜を効率的に製造する。 工程1:フッ素とスズを含有する前駆体溶液を基板上に塗布乾燥し薄膜を形成する工程 工程2:工程1で得られる薄膜に紫外線を照射する第一の光照射工程 工程3:工程2で得られる薄膜を熱処理する工程 工程4:工程3で得られる薄膜に紫外線を照射する第二の光照射工程
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)