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1. (WO2008041277) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE COMPOSÉ ET PROCESSUS DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/041277    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/319466
Date de publication : 10.04.2008 Date de dépôt international : 29.09.2006
CIB :
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
KANAMURA, Masahito [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANAMURA, Masahito; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower 20-3, Ebisu 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE COMPOSÉ ET PROCESSUS DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 化合物半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A compound semiconductor device comprising a substrate; electron traveling layer (12) of Group III-V nitride compound semiconductor superimposed on the substrate; gate insulating film (17) positioned above the compound semiconductor layer; and gate electrode (18) positioned on the gate insulating film, wherein the gate insulating film includes first insulating film (15,26) composed of oxygen, at least one metal element selected from among metals capable of binding with the oxygen so as to form a metal oxide of 10 or higher specific inductive capacity and at least one metal element selected from among Si and Al.
(FR)Un dispositif à semi-conducteur composé comprend un substrat; une couche de migration d'électrons (12) d'un semi-conducteur à base de composé de nitrure du groupe III-IV superposé au substrat; un film d'isolation de grille (17) disposé par dessus la couche semi-conductrice à base du composé; et une électrode de grille (18) disposée sur le film d'isolation de grille, le film d'isolation de grille comprenant un premier film isolant (15, 26) composé d'oxygène, au moins un élément métallique sélectionné parmi les métaux capables de se lier avec l'oxygène de manière à former un oxyde de métal d'une capacité inductive égale ou supérieure à dix, et au moins un élément de métal sélectionné parmi Si et Al.
(JA) 化合物半導体装置は、基板上に形成され、III-V族窒化物系化合物半導体で構成される電子走行層(12)と、前記化合物半導体層の上方に位置するゲート絶縁膜(17)と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極(18)とを備え、前記ゲート絶縁膜は、酸素と、前記酸素と結合して比誘電率が10以上の金属酸化物を構成する金属から選ばれる少なくとも1つの金属元素と、SiおよびAlから選ばれる少なくとも1つの金属元素と、で構成される第1絶縁膜(15,26)を含む。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)