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1. (WO2008041063) CIRCUIT DE POLARISATION ET PROCÉDÉ DE POLARISATION D'UN TRANSISTOR DANS UN AMPLIFICATEUR DE CLASSE C
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/041063    N° de la demande internationale :    PCT/IB2006/054678
Date de publication : 10.04.2008 Date de dépôt international : 03.10.2006
CIB :
H03F 1/02 (2006.01), H03F 1/30 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
BOUNY, Jean Jacques [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BOUNY, Jean Jacques; (FR)
Mandataire : WHARMBY, Martin, Angus; c/o Impetus IP Ltd, Freescale Semiconductor, c/o Impetus IPLTD GroveHouse, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke Hampshire RG24 8AG (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) BIAS CIRCUIT AND METHOD FOR BIASING A TRANSISTOR IN A CLASS C AMPLIFIER
(FR) CIRCUIT DE POLARISATION ET PROCÉDÉ DE POLARISATION D'UN TRANSISTOR DANS UN AMPLIFICATEUR DE CLASSE C
Abrégé : front page image
(EN)A bias circuit for a transistor in a class C amplifier, the bias circuit comprising a class AB amplifier bias voltage generating means; a resistor connected to the class AB amplifier bias voltage generating means; and a current injection means connected between the class AB amplifier bias voltage generating means and the resistor; wherein in use, an injection of a pre-defined current from the current injection means into the resistor, causes a voltage to be subtracted from a voltage generated by the class AB amplifier bias voltage generating means, to achieve a desired class C amplifier bias voltage.
(FR)L'invention concerne un circuit de polarisation destiné à un transistor dans un amplificateur de classe C. Ce circuit de polarisation comprend une unité de génération de tension de polarisation d'amplificateur de classe AB, une résistance connectée à l'unité de génération de tension de polarisation d'amplificateur de classe AB, ainsi qu'une unité d'injection de courant connectée entre l'unité de génération de tension de polarisation d'amplificateur de classe AB et la résistance. En cours d'utilisation, lorsqu'un courant prédéfini est injecté dans la résistance à partir de l'unité d'injection de courant, une tension est soustraite d'une tension générée par l'unité de génération de tension de polarisation d'amplificateur de classe AB, ce qui permet d'obtenir une tension de polarisation d'amplificateur de classe C souhaitée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)