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1. (WO2008040733) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/040733    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/060462
Date de publication : 10.04.2008 Date de dépôt international : 02.10.2007
CIB :
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01)
Déposants : ABB Technology AG [CH/CH]; Affolternstrasse 44, CH-8050 Zürich (CH) (Tous Sauf US).
KOPTA, Arnost [SE/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : KOPTA, Arnost; (CH)
Mandataire : ABB; c/o ABB Schweiz AG, Intellectual Property CH-LC/IP, Brown Boveri Strasse 6, CH-5400 Baden (CH)
Données relatives à la priorité :
06405423.2 05.10.2006 EP
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A power semiconductor device (1) comprises a first layer (2) of a first conductivity type, which has a first main side (21) and a second main side (22) opposite the first main side (21). A second layer (3) of a second conductivity type is arranged in a central region of the first main side (21) and a fourth electrically conductive layer (4) is arranged on the second layer (3). On the second main side (22) a third layer (5) with a first zone (1) of the first conductivity type with a higher doping than the first layer (2) is arranged followed by a fifth electrically conductive layer (6). The area between the second layer (3) and the first zone (51) defines an active area (9). The third layer (5) comprises at least one second zone (52) of the second conductivity type, which is arranged in the same plane as the first zone (51). A sixth layer (10) of the first conductivity type with a doping, which is lower than that of the first zone (51) and higher that that of the first layer (2), is arranged between the at least one second zone (52) and the first layer (2).
(FR)Un dispositif semi-conducteur de puissance (1) comporte une première couche (2) d'un premier type de conductivité, présentant un premier côté principal (21) et un second côté principal (22), opposé au premier côté principal (21). Une seconde couche (3) d'un second type de conductivité est disposée dans une région centrale du premier côté principal (21), et une quatrième couche conductrice de l'électricité (4) est agencée sur la seconde couche (3). Sur le second côté principal (22), une troisième couche (5) munie d'une première zone (1) du premier type de conductivité présentant un dopage plus élevé que la première couche (2) est agencée, suivie d'une cinquième couche (6) conductrice de l'électricité. La surface entre la seconde couche (3) et la première zone (51) définit une surface active (9). La troisième couche (5) comporte au moins une seconde zone (52) du second type de conductivité, agencée dans le même plan que la première zone (51). Une sixième couche (10) du premier type de conductivité présentant un dopage inférieur à celui de la première zone (51) mais supérieur à celui de la première couche (2) est agencée entre au moins la seconde zone (52) et la première couche (2).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)