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1. (WO2008040289) PUCE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UNE PUCE À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/040289    N° de la demande internationale :    PCT/DE2007/001638
Date de publication : 10.04.2008 Date de dépôt international : 10.09.2007
CIB :
H01L 33/00 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4, 93055 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
STRAUSS, Uwe [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : STRAUSS, Uwe; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 046 677.2 29.09.2006 DE
10 2007 004 302.5 29.01.2007 DE
Titre (DE) HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERCHIPS
(EN) SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UNE PUCE À SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Halbleiterchip (1) mit einem Träger (3) und mit einem Halbleiterkörper (2), der eine Halbleiterschichtenfolge mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (21) umfasst, angegeben, wobei: der Träger eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte erste Trägerfläche (31) und einem vom Halbleiterkörper (2) abgewandte zweite Trägerfläche (32) aufweist, der Halbleiterkörper (2) mittels einer Verbindungsschicht (4) stoffschlüssig an dem Träger (3) befestigt ist, und zwischen der zweiten Trägerfläche (32) und dem aktiven Bereich (21) eine Mehrzahl von reflektierenden oder streuenden Elementen (40,7) ausgebildet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips angegeben.
(EN)A semiconductor chip (1) is specified comprising a carrier (3) and comprising a semiconductor body (2), which comprises a semiconductor layer sequence having an active region (21) provided for generating radiation, wherein: the carrier has a first carrier area (31) facing the semiconductor body (2) and a second carrier area (32) remote from the semiconductor body (2), the semiconductor body (2) is cohesively fixed to the carrier (3) by means of a connecting layer (4), and plurality of reflective or scattering elements (40, 7) are formed between the second carrier area (32) and the active region (21). A method for producing a semiconductor chip is furthermore specified.
(FR)La présente invention concerne une puce à semi-conducteur (1) dotée d'un support (3) et d'un élément semi-conducteur (2) comprenant une succession de couches semi-conductrices, une zone active (21) étant prévue pour la génération de rayonnements. Le support présente une première surface de support (31) tournée vers l'élément semi-conducteur (2) et une seconde surface de support (32) opposée à l'élément semi-conducteur (2), ce dernier étant fixé sur le support (3) à l'aide d'une couche de liaison (4) par jonction des matières. Une pluralité d'éléments réfléchissants ou de diffusion (40, 7) sont réalisés entre la seconde surface de support (32) et la zone active (21). L'invention concerne en outre un procédé pour la fabrication d'une puce à semi-conducteur.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)