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1. (WO2008039816) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE SUBSTRATS DE SILICIUM CRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/039816    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/079484
Date de publication : 03.04.2008 Date de dépôt international : 26.09.2007
CIB :
C30B 15/06 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Déposants : BP CORPORATION NORTH AMERICA INC. [US/US]; 4101 Winfield Road, Warrenville, IL 60555 (US) (Tous Sauf US).
CLARK, Roger, F. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CLARK, Roger, F.; (US)
Mandataire : NEMO, Thomas, E.; BP America Inc., 4101 Winfield Road, Mail Code 5 East, Warrenville, IL 60555 (US)
Données relatives à la priorité :
60/827,246 28.09.2006 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR THE PRODUCTION OF CRYSTALLINE SILICON SUBSTRATES
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE SUBSTRATS DE SILICIUM CRISTALLIN
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus and method for producing a crystalline ribbon continuously from a melt pool of liquid feed material, e.g. silicon. The silicon is melted and flowed into a growth tray to provide a melt pool of liquid silicon. Heat is passively extracted by allowing heat to flow from the melt pool up through a chimney. Heat is simultaneously applied to the growth tray to keep the silicon in its liquid phase while heat loss is occurring through the chimney. A template is placed in contact with the melt pool as heat is lost through the chimney so that the silicon starts to 'freeze' (i.e. solidify) and adheres to the template. The template is then pulled from the melt pool thereby producing a continuous ribbon of crystalline silicon.
(FR)L'invention concerne un appareil et un procédé de production en continu d'un ruban cristallin à partir d'un bain de fusion de matériau de charge liquide, p. ex. du silicium. Le silicium est fondu et étalé dans un plateau de tirage afin de produire un bain de fusion de silicium liquide. On extrait la chaleur de manière passive en permettant à cette dernière de s'écouler du bain de fusion par une cheminée. La chaleur est appliquée simultanément au plateau de tirage pour garder le silicium dans sa phase liquide, tandis que la perte de chaleur se fait par la cheminée. On met un gabarit en contact avec la bain de fusion alors que la chaleur se perd dans la cheminée, de sorte que le silicium commence à 'geler', (à savoir se solidifier) et adhère au gabarit. Le gabarit est ensuite extrait du bain de fusion, ce qui produit ainsi un ruban continu de silicium cristallin.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)