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1. (WO2008039459) TRANSISTOR DE PUISSANCE A EFFET DE CHAMP MOS POURVU D'UNE PLAQUE DE CHAMP A RENFONCEMENTS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/039459    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/020684
Date de publication : 03.04.2008 Date de dépôt international : 25.09.2007
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : DARWISH, Mohamed, N. [US/US]; (US) (US Seulement).
MAXPOWER SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 675 Regas Drive, Campbell, California 95008 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : DARWISH, Mohamed, N.; (US)
Mandataire : STEUBER, David, E.; Patentability Associates, P.o. Box 9551, San Jose, CA 95157 (US)
Données relatives à la priorité :
60/847,551 27.09.2006 US
Titre (EN) POWER MOSFET WITH RECESSED FIELD PLATE
(FR) TRANSISTOR DE PUISSANCE A EFFET DE CHAMP MOS POURVU D'UNE PLAQUE DE CHAMP A RENFONCEMENTS
Abrégé : front page image
(EN)A trench MOSFET contains a recessed field plate (RFP) trench adjacent the gate trench. The RFP trench contains an RFP electrode insulated from the die by a dielectric layer along the walls of the RFP trench. The gate trench has a thick bottom oxide layer, and the gate and RFP trenches are preferably formed in the same processing step and are of substantially the same depth. When the MOSFET operates in the third quadrant (with the source/body-to-drain junction forward-biased), the combined effect of the RFP and gate electrodes significantly reduces in the minority carrier diffusion current and reverse-recovery charge. The RFP electrode also functions as a recessed field plates to reduce the electric field in the channel regions when the MOSFET source/body to-drain junction reverse-biased.
(FR)L'invention concerne un transistor à effet de champ MOS à tranchées contenant une tranchée de plaque de champ à renfoncements (RFP) adjacente à la tranchée de grille. La tranchée RFP contient une électrode RFP isolée de la puce par une couche diélectrique le long des parois de la tranchée RFP. La tranchée de grille comprend une couche d'oxyde à fond épais, et les tranchées de grille et RFP sont de préférence formées lors de la même étape de traitement et elles présentent sensiblement la même profondeur. Lorsque le transistor à effet de champ MOS opère dans le troisième quadrant (avec la jonction source/corps-drain polarisée dans le sens direct), l'effet combiné des électrodes RFP et de grille diminue sensiblement dans le courant de diffusion de porteurs minoritaires et la charge de recouvrement inverse. L'électrode RFP sert également de plaque de champ à renfoncements pour réduire le champ électrique dans les zones canal lorsque la jonction source/corps-drain du transistor est à polarisation inverse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)